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公开(公告)号：CN1614779A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410089762.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477215C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710001820.2
申请日：2007-01-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 垣内俊雄
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种半导体装置，p型保护元件(102)及n型保护元件(103)中的漏极区域和保护带的最小距离比p型内部电路元件(202)及n型内部电路元件(203)中的漏极区域和保护带的最小距离短。其对应课题如下，在半导体装置高集成化，其动作电压低电压化且低耗电化，并且构成半导体装置的半导体元件的结构细微化且高密度化的情况下，该半导体装置，特别容易产生MOS晶体管的静电破坏。
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公开(公告)号：CN101034703A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710001820.2
申请日：2007-01-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 垣内俊雄
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种半导体装置，p型保护元件(102)及n型保护元件(103)中的漏极区域和保护频带的最小距离比p型内部电路元件(202)及n型内部电路元件(203)中的漏极区域和保护频带的最小距离短。其对应课题如下，在半导体装置高集成化，其动作电压低电压化且低耗电化，并且构成半导体装置的半导体元件的结构细微化且高密度化的情况下，该半导体装置，特别容易产生MOS晶体管的静电破坏。
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公开(公告)号：CN100517689C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410089762.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。
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公开(公告)号：CN100435240C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410069623.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0928
Abstract: 提供一种三重阱构造的CMOS半导体器件，通过防止寄生可控硅的导通来防止发生锁定，可缩小布线面积。该半导体器件包括：P型硅衬底(20)、在P型硅衬底(20)的表面上互相间隔形成的N型的深阱(13)和N型的深阱(14)、在N型的深阱(13)上形成的P型阱(11)、在N型的深阱(14)内形成的N型的浅阱(12)、在P型阱(11)的表面上形成的N沟道型MOS晶体管(Mn)、以及在N型的浅阱(12)的表面上形成的P沟道型MOS晶体管(Mp)。
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公开(公告)号：CN1581354A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410069623.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0928
Abstract: 提供一种三重阱构造的CMOS半导体器件，通过防止寄生可控硅的导通来防止发生锁定，可缩小布线面积。该半导体器件包括：P型硅衬底(20)、在P型硅衬底(20)的表面上互相间隔形成的N型的深阱(13)和N型的深阱(14)、在N型的深阱(13)上形成的P型阱(11)、在N型的深阱(14)内形成的N型的浅阱(12)、在P型阱(11)的表面上形成的N沟道型MOS晶体管(Mn)、以及在N型的浅阱(12)的表面上形成的P沟道型MOS晶体管(Mp)。
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