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公开(公告)号：CN103608932A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029397.6
申请日：2012-03-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种光伏装置，其具备半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面上的i型非晶质层（12i）、形成在i型非晶质层（12i）上的p型非晶质层（12p）、形成在半导体基板（10）的背面上的i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（16i）上的n型非晶质层（16n），在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度比i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度高。
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