公开(公告)号：CN111755470A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201911270481.7

申请日：2019-12-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 朴研相 ,  卢永瑾 ,  田宪秀

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: 一种使用多波长光的光学装置包括：基板；以及发光阵列，设置在基板上，且包括发射具有不同波长的多个光的多个发光器件。该光学装置包括控制器，其被配置为控制所述发光阵列使得所述多个光被不同地调制并同时发射。

公开(公告)号：CN117296218A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034790.8

申请日：2022-03-17

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 田宪秀 ,  金明垠

IPC: H01S5/323

Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种光子晶体半导体激光装置，所述光子晶体半导体激光装置包括：n型包覆层，形成在n型第一基底的第一表面上；引导层，形成在所述n型包覆层上且包括活性层；p型包覆层，形成在所述引导层上；p型接触层，形成在所述p型包覆层上；p型电极层，形成在所述p型接触层上；以及n型电极层，接触所述n型第一基底的所述第一表面的至少一部分或接触与所述第一表面相对的第二表面的至少一部分，其中，在所述p型接触层、所述p型包覆层、包括所述活性层的所述引导层和所述n型包覆层中形成有穿透所述p型接触层、所述p型包覆层、包括所述活性层的所述引导层和所述n型包覆层的孔，并且所述孔形成光子晶体图案。

公开(公告)号：CN116508169A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180076366.5

申请日：2021-11-09

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 田宪秀 ,  李泰润

IPC: H01L33/60

Abstract: 本发明提供一种谐振腔结构体，所述谐振腔结构体包括：上部层，由具有不同折射率的第一电介质层和第二电介质层交替层叠而成；下部层，由所述第一电介质层与所述第二电介质层交替层叠而成；以及腔体(cavity)，形成于所述上部层与所述下部层之间。所述腔体包括波长转换物质，所述波长转换物质吸收具有第一波长的光并发射具有不同于所述第一波长的第二波长，所述谐振腔结构体设计成所述腔体在所述第一波长处发生谐振，所述谐振腔结构体配置成所述第一波长的激发光入射所述下部层的下部。

公开(公告)号：CN119009668A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410592991.0

申请日：2024-05-14

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 田宪秀 ,  金明垠

IPC: H01S5/11

Abstract: 提供了一种光子晶体激光装置及其制造方法，所述光子晶体激光装置包括：下电极层，在基底的顶表面或底表面上；引导层，在所述下电极层上；上电极层，在所述引导层上；下包覆层，在所述下电极层与所述引导层之间；以及上包覆层，在所述引导层与所述上电极层之间。所述引导层包括位于所述引导层中的活性层。设置有晶体孔，所述晶体孔在垂直方向上穿透所述上包覆层并且朝向所述引导层延伸。所述晶体孔的下端被限定为在高于所述活性层的顶表面的高度处或与所述活性层的顶表面相同的高度处。

公开(公告)号：CN1266204A

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：CN00106506.8

申请日：2000-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李定观 ,  田宪秀 ,  申铉国

IPC: G03F7/26 ,  G02B3/06

CPC classification number: H01S5/18388 ,  G02B3/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/18311

Abstract: 一种微透镜,通过利用具有用来限定半导体元件上的成为微透镜的凸形表面的开口的蚀刻掩模,在化学蚀刻溶液中蚀刻半导体元件形成,所述溶液含有能对半导体进行限制扩散蚀刻的蚀刻剂;和一种微透镜和垂直空腔表面辐射激光器(VCSEL)的组合,其中微透镜形成在由限制扩散蚀刻的激光辐射表面的窗口区域上。