公开(公告)号：CN117296218A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034790.8

申请日：2022-03-17

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 田宪秀 ,  金明垠

IPC: H01S5/323

Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种光子晶体半导体激光装置，所述光子晶体半导体激光装置包括：n型包覆层，形成在n型第一基底的第一表面上；引导层，形成在所述n型包覆层上且包括活性层；p型包覆层，形成在所述引导层上；p型接触层，形成在所述p型包覆层上；p型电极层，形成在所述p型接触层上；以及n型电极层，接触所述n型第一基底的所述第一表面的至少一部分或接触与所述第一表面相对的第二表面的至少一部分，其中，在所述p型接触层、所述p型包覆层、包括所述活性层的所述引导层和所述n型包覆层中形成有穿透所述p型接触层、所述p型包覆层、包括所述活性层的所述引导层和所述n型包覆层的孔，并且所述孔形成光子晶体图案。

公开(公告)号：CN119009668A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410592991.0

申请日：2024-05-14

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 田宪秀 ,  金明垠

IPC: H01S5/11

Abstract: 提供了一种光子晶体激光装置及其制造方法，所述光子晶体激光装置包括：下电极层，在基底的顶表面或底表面上；引导层，在所述下电极层上；上电极层，在所述引导层上；下包覆层，在所述下电极层与所述引导层之间；以及上包覆层，在所述引导层与所述上电极层之间。所述引导层包括位于所述引导层中的活性层。设置有晶体孔，所述晶体孔在垂直方向上穿透所述上包覆层并且朝向所述引导层延伸。所述晶体孔的下端被限定为在高于所述活性层的顶表面的高度处或与所述活性层的顶表面相同的高度处。