公开(公告)号：CN102201506A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110068816.4

申请日：2011-03-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 姜钟赫 ,  慎重汉 ,  朴哉柄 ,  李东勋 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  裴完基 ,  林载勋

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  C08F293/00 ,  C08F8/34

CPC classification number: C09K11/025 ,  C08F8/06 ,  C09K11/08 ,  C08F116/34

Abstract: 本发明公开了一种量子点-嵌段共聚物混合物及其制备和分散方法，以及一种包括量子点-嵌段共聚物混合物的发光装置及其制造方法。量子点-嵌段共聚物混合物包括：量子点；围绕量子点的嵌段共聚物，其中，嵌段共聚物具有包含硫(S)的官能团并与量子点形成化学键。

公开(公告)号：CN102199425A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110069115.2

申请日：2011-03-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 姜钟赫 ,  慎重汉 ,  朴哉柄 ,  李东勋 ,  南敏基 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  裵完基 ,  林载勋 ,  郑朱玹

IPC: C09K11/70

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C09K11/623 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601

Abstract: 本发明涉及制造量子点的方法，所述方法包括：在溶剂中混合II族前体和III族前体以制备第一混合物；在约200℃～约350℃的温度下加热所述第一混合物；在将所述第一混合物保持在约200℃～约350℃的温度下的同时，将V族前体和VI族前体添加到所述第一混合物中以制备第二混合物；和将所述第二混合物保持在约200℃～约350℃的温度下以形成量子点。

公开(公告)号：CN104282803A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410103333.7

申请日：2014-03-19

Applicant: 首尔大学校产学协力团 ,  多次元能源系统研究集团

Inventor： 李昌熙 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  李东龟 ,  林载勋 ,  宋知娟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y40/00 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明提供了一种制造光吸收层的典型方法和制造包括所述光吸收层的半导体设备的方法。所述典型方法包括：通过在基底上涂敷半导体纳米颗粒溶液形成纳米颗粒薄膜；热处理所述纳米颗粒薄膜至少一次以使纳米颗粒之间发生粘附；及通过在所述纳米颗粒薄膜上涂敷光吸收溶液形成光吸收层。

公开(公告)号：CN102201506B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110068816.4

申请日：2011-03-22

Applicant: 三星显示有限公司 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 姜钟赫 ,  慎重汉 ,  朴哉柄 ,  李东勋 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  裴完基 ,  林载勋

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/26 ,  C08F293/00 ,  C08F8/34

CPC classification number: C09K11/025 ,  C08F8/06 ,  C09K11/08 ,  C08F116/34

Abstract: 本发明公开了一种量子点-嵌段共聚物混合物及其制备和分散方法，以及一种包括量子点-嵌段共聚物混合物的发光装置及其制造方法。量子点-嵌段共聚物混合物包括：量子点；围绕量子点的嵌段共聚物，其中，嵌段共聚物具有包含硫(S)的官能团并与量子点形成化学键。

公开(公告)号：CN104282803B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410103333.7

申请日：2014-03-19

Applicant: 首尔大学校产学协力团 ,  多次元能源系统研究集团

Inventor： 李昌熙 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  李东龟 ,  林载勋 ,  宋知娟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y40/00 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种制造光吸收层的典型方法和制造包括所述光吸收层的半导体设备的方法。所述典型方法包括：通过在基底上涂敷半导体纳米颗粒溶液形成纳米颗粒薄膜；热处理所述纳米颗粒薄膜至少一次以使纳米颗粒之间发生粘附；及通过在所述纳米颗粒薄膜上涂敷光吸收溶液形成光吸收层。

公开(公告)号：CN102199425B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110069115.2

申请日：2011-03-22

Applicant: 三星显示有限公司 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 姜钟赫 ,  慎重汉 ,  朴哉柄 ,  李东勋 ,  南敏基 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  裵完基 ,  林载勋 ,  郑朱玹

IPC: C09K11/70

CPC classification number: H01L21/02628 ,  C09K11/623 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601

Abstract: 本发明涉及制造量子点的方法，所述方法包括：在溶剂中混合II族前体和III族前体以制备第一混合物；在约200℃～约350℃的温度下加热所述第一混合物；在将所述第一混合物保持在约200℃～约350℃的温度下的同时，将V族前体和VI族前体添加到所述第一混合物中以制备第二混合物；和将所述第二混合物保持在约200℃～约350℃的温度下以形成量子点。