公开(公告)号：CN104282803A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410103333.7

申请日：2014-03-19

Applicant: 首尔大学校产学协力团 ,  多次元能源系统研究集团

Inventor： 李昌熙 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  李东龟 ,  林载勋 ,  宋知娟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y40/00 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明提供了一种制造光吸收层的典型方法和制造包括所述光吸收层的半导体设备的方法。所述典型方法包括：通过在基底上涂敷半导体纳米颗粒溶液形成纳米颗粒薄膜；热处理所述纳米颗粒薄膜至少一次以使纳米颗粒之间发生粘附；及通过在所述纳米颗粒薄膜上涂敷光吸收溶液形成光吸收层。

公开(公告)号：CN104282803B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410103333.7

申请日：2014-03-19

Applicant: 首尔大学校产学协力团 ,  多次元能源系统研究集团

Inventor： 李昌熙 ,  车国宪 ,  李成勋 ,  李东龟 ,  林载勋 ,  宋知娟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/426 ,  B82Y40/00 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种制造光吸收层的典型方法和制造包括所述光吸收层的半导体设备的方法。所述典型方法包括：通过在基底上涂敷半导体纳米颗粒溶液形成纳米颗粒薄膜；热处理所述纳米颗粒薄膜至少一次以使纳米颗粒之间发生粘附；及通过在所述纳米颗粒薄膜上涂敷光吸收溶液形成光吸收层。