公开(公告)号：CN114520259A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110912210.8

申请日：2021-08-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  尹圣仁

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02

Abstract: 提供黑磷‑二维材料复合物及其制造方法、制造黑磷片的方法和电子器件。所述黑磷‑二维材料复合物包括：各自具有二维晶体结构并且通过范德华力彼此结合的第一和第二二维材料层；以及在所述第一和第二二维材料层之间并且具有其中多个磷原子共价键合的二维晶体结构的黑磷片。

公开(公告)号：CN112750685A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011180671.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  李珉贤 ,  南胜杰 ,  马庆烈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供氮化硼层、包括其的装置及制造氮化硼层的方法。所述氮化硼层包括氮化硼化合物并且在100kHz的工作频率下具有约2.5或更小的介电常数。

公开(公告)号：CN112442734B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202010787644.5

申请日：2020-08-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  马庆烈

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H10D62/85 ,  H10D30/60

Abstract: 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。

公开(公告)号：CN116266530A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211410901.9

申请日：2022-11-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  卞卿溵 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  金炯俊

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件。所述非均质二维材料的复合物可包括：基板；在所述基板上并且具有二维晶体结构的第一二维材料层；以及在所述基板和所述第一二维材料层之间的第二二维材料层。所述第二二维材料层具有其中多个磷原子彼此共价键合的二维晶体结构。

公开(公告)号：CN112750834A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011177930.6

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡 ,  卞卿溵 ,  申铉石 ,  洪锡模

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。

公开(公告)号：CN112442734A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010787644.5

申请日：2020-08-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  马庆烈

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。

公开(公告)号：CN110752204B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN115918161A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180046715.9

申请日：2021-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘炳奇 ,  李昌锡 ,  金素万 ,  尹锡炅 ,  郑东锡 ,  南胜薰 ,  朴钟贤 ,  李起龙

IPC: H04W36/14

Abstract: 提供了一种用于在电子装置中提供呼叫功能连续性的方法和装置。该电子装置可以包括：第一通信电路，被配置为支持新无线电(NR)通信和/或长期演进(LTE)通信；第二通信电路，被配置为支持无线LAN通信；以及至少一个处理器，可操作地连接到第一通信电路和第二通信电路，其中，该处理器被配置为控制电子装置，以：经由第一通信电路向NR通信的网络注册；基于处于向NR通信的网络注册的状态，使用无线LAN通信将呼叫连接到外部设备；基于使用无线LAN通信的到外部设备的呼叫连接，限制NR通信的使用；以及基于对NR通信的使用的限制，经由第一通信电路向LTE通信的网络注册。

公开(公告)号：CN109837524B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN114578460A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110799177.2

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔太镇 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金尚元

IPC: G02B1/113 ,  G02B1/14 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/054

Abstract: 提供非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体。所述非晶氮化硼膜具有包括sp3杂化键和sp2杂化键的非晶结构，其中所述非晶氮化硼膜中的sp3杂化键相对于sp3杂化键与sp2杂化键之和的比率小于约20％。