公开(公告)号：CN119835999A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411431565.5

申请日：2024-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  卞卿溵 ,  金昌炫 ,  李殷奎

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了半导体器件、半导体器件阵列结构和半导体器件制造方法。该半导体器件包括：电介质壁，沿垂直于基板的方向提供；第一金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)，提供在电介质壁的一个侧表面上；第二MOSFET，在垂直于基板的方向上提供在第一MOSFET上方；以及第三MOSFET，与第一MOSFET平行地提供在电介质壁的另一侧表面上。

公开(公告)号：CN110752204B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN109837524B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN115799325A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211039284.6

申请日：2022-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌炫 ,  南胜杰 ,  申建旭 ,  李到玹

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，该半导体器件包括：第一源极/漏极结构，包括第一半导体区域和与第一半导体区域电接触的第一电极；第二源极/漏极结构，包括第二半导体区域和与第二半导体区域电接触的第二电极；在第一半导体区域和第二半导体区域之间的沟道；以及栅极结构，包括覆盖沟道的栅极绝缘膜和覆盖栅极绝缘膜的栅电极。第一源极/漏极结构进一步包括在第一半导体区域和第一电极之间的硅化物膜以及在硅化物膜和第一电极之间的导电阻挡物。导电阻挡物包括导电的二维材料。

公开(公告)号：CN113675258A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110318984.8

申请日：2021-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  金尚元 ,  卞卿溵 ,  李殷奎 ,  金昌炫 ,  李昌锡

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 提供一种导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法。该导电结构包括包含金属的导电材料层和用于通过结合至该导电材料层来控制导电结构的功函数的功函数控制层。功函数控制层包括具有缺陷的二维材料。

公开(公告)号：CN107768517A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710362544.6

申请日：2017-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  南胜杰 ,  金昌炫 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  许镇盛 ,  朴晟准

IPC: H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  H01L27/24 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/04

Abstract: 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间，并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。

公开(公告)号：CN107646128A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201680029569.8

申请日：2016-05-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰弘 ,  闵珍泓 ,  李宰赫 ,  赵在桀 ,  金珠熙 ,  金载洪 ,  金昌炫 ,  尹江镇

IPC: G08B21/02 ,  G08B21/06 ,  A61B5/00

CPC classification number: G08B21/0211 ,  G08B13/181 ,  G08B21/0283 ,  G08B21/0286 ,  G08B21/0288 ,  G08B21/0294 ,  G08B21/0453

Abstract: 提供了一种可穿戴在身体上的可穿戴装置以及用于通过使用所述可穿戴装置提供信息的方法和设备。所述可穿戴装置包括：至少两个感测单元，被配置为感测检测所述可穿戴装置的穿戴者的生物特征信息；连接器，将所述至少两个感测单元彼此电连接并且具有弹性。

公开(公告)号：CN119815870A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411407337.4

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权俊荣 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D62/80

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一沟道层和第二沟道层，在第一方向上彼此间隔开并且每个包括二维(2D)半导体材料；第一源电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一漏电极，在第一沟道层和第二沟道层之间以在垂直于第一方向的第二方向上与第一源电极间隔开并且同时与第一沟道层和第二沟道层接触；第一栅电极，布置在由第一源电极、第一漏电极、第一沟道层和第二沟道层围绕的第一内部空间中；以及第一栅极绝缘层，在第一内部空间中围绕第一栅电极。

公开(公告)号：CN110495069B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201880023749.4

申请日：2018-04-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰锡 ,  柳荣浩 ,  金昌炫 ,  金明浩 ,  崔雄一

IPC: H02J50/60 ,  H02J50/20 ,  H02J50/80 ,  G06T7/11

Abstract: 根据实施例的无线电力发送设备可以包括电力发送电路和处理器。所述处理器可以被配置为：控制所述电力发送电路向所述无线电力发送设备周围的第一区域无线地发送电力，当在所述第一区域周围的第二区域中检测到障碍物时，执行预先确定的第一操作，以及当检测到所述障碍物已经进入所述第一区域时，执行预先确定的第二操作。

公开(公告)号：CN117542888A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310806799.2

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞贞恩 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申建旭 ,  李殷奎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。