公开(公告)号：CN117355133A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310793937.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  闵淙渶 ,  白智睿 ,  李睿璱 ,  李真旭 ,  崔原湜

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种集成电路器件可以包括在衬底上方的多个下电极、在所述多个下电极之间的支撑件、在所述多个下电极上的上电极、以及在上电极和所述多个下电极之间的电容器电介质膜。支撑件可以包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种。电容器电介质膜的一部分可以包括掺杂剂。电容器电介质膜的所述一部分中的掺杂剂和支撑件中的金属可以是相同的金属。

公开(公告)号：CN117395990A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310789749.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  崔原湜

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种制造集成电路器件的方法包括：在基板上方形成多个下电极；在所述多个下电极上形成电介质膜；在电介质膜上形成掺杂的上界面膜；以及在掺杂的上界面膜上形成上电极，其中掺杂的上界面膜包括掺杂剂，并且掺杂剂包括从锡(Sn)、钼(Mo)、铌(Nb)、钽(Ta)和铝(Al)中选择的一种。

公开(公告)号：CN115588659A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210781489.5

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  白东官 ,  辛瑜暻 ,  崔原湜

IPC: H01L23/64 ,  H10B99/00 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件。电容器结构包括下电极、上电极以及插设在下电极和上电极之间的电容器电介质膜，其中下电极包括包含第一金属元素的电极膜，以及在电极膜和电容器电介质膜之间的包含第一金属元素的氧化物的掺杂的氧化物膜，掺杂的氧化物膜进一步包括第二金属元素和杂质元素，第二金属元素包括第5族至第11族和第15族金属元素中的至少一种，杂质元素包括硅(Si)、铝(Al)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种。