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公开(公告)号：CN119562758A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410932156.7
申请日：2024-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 集成电路器件包括：下部电极；覆盖所述下部电极的电介质膜；覆盖所述电介质膜的上部电极；以及在所述电介质膜和所述上部电极之间的多层界面结构，其中所述多层界面结构包括：包括Al原子分散于其中的过渡金属氧化物层的过渡金属‑铝(Al)复合氧化物层，所述过渡金属‑Al复合氧化物层与所述电介质膜接触；和包括金属氧化物或金属氧氮化物的上部界面层，所述上部界面层与所述过渡金属‑Al复合氧化物层接触。
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公开(公告)号：CN117355133A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310793937.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件可以包括在衬底上方的多个下电极、在所述多个下电极之间的支撑件、在所述多个下电极上的上电极、以及在上电极和所述多个下电极之间的电容器电介质膜。支撑件可以包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种。电容器电介质膜的一部分可以包括掺杂剂。电容器电介质膜的所述一部分中的掺杂剂和支撑件中的金属可以是相同的金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118055693A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311417245.X
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电容器结构包括：下电极、下电极上的介电图案、介电图案上的界面结构、以及界面结构上的上电极。介电图案包括具有4个价电子的金属的氧化物。界面结构包括第一界面图案和第二界面图案，第一界面图案包括掺杂有氮的第一金属氧化物，第二界面图案包括第二金属氧化物。
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公开(公告)号：CN119545789A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411142046.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路器件及制造集成电路器件的方法。集成电路器件包括位于衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构。电容器结构包括下电极、位于下电极上的下界面膜、位于下界面膜上的电容器电介质膜、位于电容器电介质膜上的上界面膜以及位于上界面膜上的上电极。下界面膜包括：第一下界面层，包括掺杂有杂质的金属氧化物；第二下界面层，包括与第一下界面层的材料基本相同的材料并掺杂有氮；和第三下界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮，上界面膜包括：第一上界面层，包括金属氧化物；第二上界面层，包括与第一上界面层的材料相同的材料并掺杂有氮；和第三上界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮。
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公开(公告)号：CN119451563A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410597507.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：位于衬底上的着陆焊盘；下电极，下电极在着陆焊盘上沿垂直方向延伸，下电极连接到着陆焊盘；位于下电极上的电容器电介质层；位于下电极与电容器电介质层之间的掺杂层，掺杂层与下电极和电容器电介质层中的每一者接触，掺杂层掺杂有第一材料、第二材料和第三材料，第一材料具有三个价电子，第二材料具有四个价电子，并且第三材料具有五个价电子；以及位于电容器电介质层上的上电极。
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公开(公告)号：CN119012905A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410371967.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电容器和包括其的半导体装置。所述电容器可以包括主下电极、在主下电极的表面上的界面结构、在界面结构上包括金属氧化物的主介电层和在主介电层上的上电极。界面结构可以包括第一界面层、第二界面层和第三界面层。第一界面层可以具有导电性，并且可以包括掺杂有五价元素的金属氧化物。第二界面层可以在第一界面层上，并且可以包括在第一界面层的材料中进一步掺杂有氮的材料。第三界面层可以在第二界面层上，并且可以包括掺杂有氮的金属氧化物。包括在第三界面层的金属氧化物中的金属可以包括四价金属。
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