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公开(公告)号：CN116783846A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280010275.6
申请日：2022-01-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
IPC: H04B17/12
Abstract: 本公开涉及支持比第四代(4G)通信系统(诸如长期演进(LTE))更高数据速率的第五代(5G)、超5G和未来代的通信系统。无线通信系统中的电子设备可以包括：处理器、天线阵列、与第一流相关联的多个第一射频(RF)路径，其中，第一RF路径中的每一个包括发送(TX)路径和接收(RX)路径，以及与第二流相关联的多个第二RF路径，其中，第二RF路径中的每一个包括发送路径和接收路径，并且其中，处理器被配置为：生成用于天线阵列的校准信号，基于针对多个第一RF路径中的每个测量RF路径获得的具有第一流的一个TX路径和具有第二流的一个RX路径之间的相位差或增益差来获得天线阵列的特性信息，以及基于特性信息校准多个第一RF路径。
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公开(公告)号：CN108074944A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711094476.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L23/345 , H01L23/481 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L2224/18 , H04N5/378 , H01L27/14601
Abstract: 一种图像传感器封装包括在竖直方向上堆叠的图像传感器芯片、逻辑芯片和存储器芯片结构。所述图像传感器芯片包括像素阵列和互连结构，并接收电源电压、地电压或信号。所述逻辑芯片处理来自所述图像传感器芯片的像素信号，并经由所述图像传感器芯片接收电源电压、地电压或信号。所述存储器芯片结构包括存储器芯片、包围存储器芯片的模制部分、以及在竖直方向上穿过模制部分并与逻辑芯片或存储器芯片中的至少一个连接的至少一个模通孔接触件。存储器芯片存储由逻辑芯片处理的像素信号或来自图像传感器芯片的像素信号中的至少一个，并经由图像传感器芯片和逻辑芯片接收电源电压、地电压或信号。
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公开(公告)号：CN102479488A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110365284.0
申请日：2011-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容勋
CPC classification number: H05B33/0827 , G09G3/3406
Abstract: 本发明提供一种发光二极管驱动电路和具有其的显示装置。提供了能够防止LED电流失真并且具有高操作速度的LED驱动电路，以及包括该LED驱动电路的显示装置。LED驱动电路包括电流驱动电路、动态净空控制器以及电源电路。电流驱动电路响应于包括LED电流的信息的第一控制信号和电流驱动电路使能信号，来控制流过LED串的电流信号。动态净空控制器生成动态净空控制信号，所述动态净空控制信号具有根据电流驱动电路使能信号的逻辑状态而改变的电压电平。电源电路生成根据动态净空控制信号而改变的LED驱动电压。
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公开(公告)号：CN115953986A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211184974.0
申请日：2022-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/3275 , G09G3/36
Abstract: 提供一种列驱动集成电路、列驱动集成电路模块和显示装置。所述列驱动集成电路(IC)驱动显示面板中包括的连接到第一组像素的第一组像素线和所述显示面板中包括的连接到第二组像素的第二组像素线，所述列驱动IC包括：主灰度电压生成电路，所述主灰度电压生成电路被配置为对参考电压进行分压以生成抽头电压，并且基于至少一个所述抽头电压生成第一低功率模式灰度电压；以及第一低功率模式放大器，所述第一低功率模式放大器被配置为基于所述第一低功率模式灰度电压驱动所述第一组像素线。
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公开(公告)号：CN111223835A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911153469.8
申请日：2019-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有腔并且包括布线结构，所述布线结构使所述框架的第一表面和第二表面连接；第一连接结构，位于所述框架的所述第一表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；第一半导体芯片，在所述腔内位于所述第一连接结构上；包封剂，包封所述第一半导体芯片并且覆盖所述框架的所述第二表面；第二连接结构，包括第二重新分布层，所述第二重新分布层包括第一重新分布图案和第一连接过孔；以及第二半导体芯片，设置在所述第二连接结构上并且具有第二连接垫，所述第二连接垫连接到所述第二重新分布层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110120369A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201811462529.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容勋
IPC: H01L23/31 , H01L23/373 , H01L23/552 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体封装包括基板。包括两个半导体芯片的竖直堆叠芯片结构被安装在所述基板上。所述第三半导体芯片安装在所述基板上并与所述竖直堆叠芯片结构水平间隔开。封装模塑料设置在所述基板上并覆盖所述竖直堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁。电磁屏蔽层沿着所述封装模塑料的侧壁并沿着所述封装模塑料的上表面延伸。所述第一半导体芯片设置在所述第二半导体芯片和所述基板之间。所述第一半导体芯片与第一接地通孔相连，并且与第一信号/电力通孔相连。所述第二半导体芯片与第二接地通孔相连。所述电磁屏蔽层与所述第二接地通孔相连。
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公开(公告)号：CN101882424A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010176581.6
申请日：2010-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容勋
CPC classification number: G09G3/20 , G09G2310/0278
Abstract: 本发明提供了驱动集成电路(IC)和包括该驱动集成电路的图像显示装置。所述驱动IC包括：参考电压设置电路，被构造成基于测试电压输出参考电压；负载电流控制单元，响应于负载电流将从负载电阻器输出的负载电压与参考电压进行比较，并基于比较结果保持负载电流恒定。
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公开(公告)号：CN101245944A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710149277.0
申请日：2007-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容勋
IPC: F24F11/02
Abstract: 根据本发明所提供的空气调节器，包括：风扇；异步电机，该异步电极包括旋转所述风扇的转子、从单相电源流入电流而旋转所述转子的主线圈、用于启动上述转子的辅助线圈以及用于产生所述主线圈和辅助线圈之间的相位差的电容器；相位检测部，用于检测所述主线圈和所述辅助线圈的相位；控制部，用于当所述相位检测部检测的所述主线圈和所述辅助线圈之间的相位差小于基准值时，控制所述异步电机而停止所述风扇的旋转。因此，由于利用风扇电机的主线圈和辅助线圈之间的相位差直接检测是否出现故障，从而可以防止不必要的电力消耗。
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公开(公告)号：CN116635727A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180078931.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R21/06
Abstract: 本公开涉及一种用于支持比诸如长期演进(LTE)的第四代(4G)通信系统更高的数据传输速率的第五代(5G)或准5G通信系统。根据本公开的各种实施例，一种测量信号的功率的方法可以包括：由至少一个传感器获得在功率放大器和传输线之间的第一点处的信号的第一电压；由所述至少一个传感器获得在所述传输线和天线之间的第二点处的所述信号的第二电压；以及基于所述第一电压和所述第二电压计算功率。所述传输线的长度可以与所述信号的波长有关。
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公开(公告)号：CN110120388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201910095219.7
申请日：2019-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容勋
IPC: H10B80/00 , H01L23/48 , H01L23/482
Abstract: 一种半导体封装，包括：封装基板；封装基板上的逻辑芯片；封装基板上的存储器堆叠结构，包括沿第一方向堆叠的第一导体芯片和第二半导体芯片；以及封装基板和存储器堆叠结构之间的第一凸块。逻辑芯片和存储器堆叠结构沿着与第一方向交叉的第二方向在封装基板上间隔开。第一半导体芯片包括：电连接到第二半导体芯片的穿通孔、连接到穿通孔的芯片信号焊盘、以及电连接到芯片信号焊盘且具有与第一凸块接触的边缘信号焊盘的第一再分布层。沿第二方向的逻辑芯片和边缘信号焊盘之间的距离小于逻辑芯片和芯片信号焊盘之间的距离。
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