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公开(公告)号：CN111863935A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010160689.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 谐振隧穿器件和使用其检测物理特性的方法。一种谐振隧穿器件包括：第一二维半导体层，包括第一二维半导体材料；在第一二维半导体层上的第一绝缘层；以及第二二维半导体层，在第一绝缘层上并且包括与第一二维半导体材料相同种类的第二二维半导体材料。
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公开(公告)号：CN117729841A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310217357.4
申请日：2023-03-08
Applicant: 韩国科学技术院 , 成均馆大学校产学协力团
Inventor： 梁喜准 , 黄恩智 , 尤纳斯·阿塞法·埃舍特
IPC: H10N70/20
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：相变材料层，位于基底上；栅电极，设置在所述相变材料层上并且引起电荷在所述相变材料层中的累积；以及一对源/漏电极，在所述相变材料层上彼此间隔开，且所述栅电极位于所述一对源/漏电极之间。所述相变材料层包括相变区，所述相变区具有当向所述栅电极施加电压时由于电荷的累积而改变的晶体结构。
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公开(公告)号：CN117219662A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310538584.7
申请日：2023-05-12
Applicant: 韩国科学技术院 , 成均馆大学校产学协力团
Inventor： 梁喜准 , 黄恩智 , 尤纳斯·阿塞法·埃舍特
Abstract: 提供了一种薄膜，所述薄膜包括堆叠成多个层的Mo1‑xWxTe2。所述薄膜在堆叠方向上具有约1nm至约100nm的厚度，所述薄膜在高于阈值温度的温度下具有对称晶格结构，并且所述薄膜在等于或低于所述阈值温度的温度下具有不对称晶格结构。
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公开(公告)号：CN102738237B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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公开(公告)号：CN102479804B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110389294.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103022106A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210344858.0
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/456 , H01L29/1606 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。
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公开(公告)号：CN102569398A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN102956694B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201210305411.2
申请日：2012-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , H01L29/0895 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。
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公开(公告)号：CN102738237A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101951.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/1606 , H01L29/401 , H01L29/66431 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/786 , Y10S977/936
Abstract: 本发明提供石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件可包括：栅极氧化物，在导电衬底上，该导电衬底配置为用作栅极电极；一对第一金属，在该栅极氧化物上，该对第一金属彼此分隔开；石墨烯沟道层，在该第一金属之间且在该第一金属上延伸；以及源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道层的两边缘上。
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公开(公告)号：CN103022106B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201210344858.0
申请日：2012-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/456 , H01L29/1606 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。
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