公开(公告)号：CN109810271B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201811399224.9

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 金承源 ,  韩焌元 ,  金渊优 ,  朴惠允 ,  尹喆祥 ,  李康宅 ,  全亨浚 ,  宋永健

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08K9/10 ,  C08K3/30 ,  H01B3/30 ,  H01L23/29

Abstract: 提供了混合型复合物膜、制造混合型复合物膜的方法和包括混合型复合物膜的集成电路装置，所述混合型复合物膜包括：聚合物膜；以及多个有机‑无机复合物颗粒，分散在所述聚合物膜中，其中，所述多个有机‑无机复合物颗粒中的每个颗粒包括无机颗粒和包围所述无机颗粒的有机覆盖层，所述有机覆盖层具有羟基末端。

公开(公告)号：CN115291482A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210185641.3

申请日：2022-02-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  KPX化工有限公司

Inventor： 尹孝鎭 ,  金承源 ,  金泰永 ,  朴友情 ,  裵珍惠 ,  申贤燮 ,  李玟泰 ,  韩勋 ,  金文荣 ,  金文昌 ,  梁哲模 ,  崔允硕

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了一种光致抗蚀剂去除组合物以及使用该组合物制造半导体装置和半导体封装件的方法。所述光致抗蚀剂去除组合物包括极性有机溶剂、烷基氢氧化铵、不包括羟基的脂肪胺和一元醇。为了制造半导体装置，可以在基底上形成光致抗蚀剂图案，然后可以将光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案。为了制造半导体封装件，可以在基底上形成包括多个通孔的光致抗蚀剂图案。可以在所述多个通孔内部形成包括金属的多个导电柱，并且可以通过将发明构思的光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案来去除光致抗蚀剂图案。半导体芯片可以在相应的导电柱之间粘附到基底。

公开(公告)号：CN109810271A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811399224.9

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  延世大学校 ,  产学协力团

Inventor： 金承源 ,  韩焌元 ,  金渊优 ,  朴惠允 ,  尹喆祥 ,  李康宅 ,  全亨浚 ,  宋永健

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08K9/10 ,  C08K3/30 ,  H01B3/30 ,  H01L23/29

Abstract: 提供了混合型复合物膜、制造混合型复合物膜的方法和包括混合型复合物膜的集成电路装置，所述混合型复合物膜包括：聚合物膜；以及多个有机-无机复合物颗粒，分散在所述聚合物膜中，其中，所述多个有机-无机复合物颗粒中的每个颗粒包括无机颗粒和包围所述无机颗粒的有机覆盖层，所述有机覆盖层具有羟基末端。