-
公开(公告)号:CN115291482A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202210185641.3
申请日:2022-02-28
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 提供了一种光致抗蚀剂去除组合物以及使用该组合物制造半导体装置和半导体封装件的方法。所述光致抗蚀剂去除组合物包括极性有机溶剂、烷基氢氧化铵、不包括羟基的脂肪胺和一元醇。为了制造半导体装置,可以在基底上形成光致抗蚀剂图案,然后可以将光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案。为了制造半导体封装件,可以在基底上形成包括多个通孔的光致抗蚀剂图案。可以在所述多个通孔内部形成包括金属的多个导电柱,并且可以通过将发明构思的光致抗蚀剂去除组合物施加到光致抗蚀剂图案来去除光致抗蚀剂图案。半导体芯片可以在相应的导电柱之间粘附到基底。