-
公开(公告)号：CN117075795A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310429947.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种存储器系统以及包括其的计算系统。存储器系统包括存储器资源和智能控制器。存储器资源包括半导体存储器件，针对多个通道中的每个通道，半导体存储器件被分为第一半导体存储器和第二半导体存储器，第一半导体存储器和第二半导体存储器属于不同区块。智能控制器通过通道连接到多个半导体存储器件，通过经计算快速链路(CXL)接口与多个主机通信来控制半导体存储器件，多个主机中的每个主机驱动至少一个虚拟机。智能控制器在没有多个主机干预的情况下，通过以区块级别管理多个半导体存储器件的多个存储器区域之中的空闲存储器区域来控制存储器资源的功率模式，多个存储器区域存储数据。
-
公开(公告)号：CN110097906B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910001529.8
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H03K3/017
Abstract: 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
-
公开(公告)号：CN109840223B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201811293828.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
Abstract: 本申请提供了一种电子装置、存储器装置和电子装置的操作方法。电子装置包括存储器和片上系统(SoC)。存储器装置包括分配给第一通道的第一存储器单元区域和分配给第二通道的第二存储器单元区域。SoC包括第一处理单元和第二处理单元。第一处理单元被构造为通过第一通道将用于访问第一存储器单元区域的第一命令发送至存储器装置。第二处理单元被构造为通过第二通道将用于访问第二存储器单元区域的第二命令发送至存储器装置。存储器装置被构造为使得第一通道的带宽和第二通道的带宽彼此不同。
-
公开(公告)号：CN110534140B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910339068.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 公开了一种存储器装置、存储器系统和存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：驱动器，驱动与外部装置连接的数据线；内部ZQ管理器，产生内部ZQ开始信号；选择器，基于ZQ模式选择内部ZQ开始信号和来自外部装置的ZQ开始命令中的一个；ZQ校准引擎，通过响应于选择器的选择结果执行ZQ校准来产生ZQ码；以及ZQ码寄存器，响应于来自外部装置的ZQ锁存命令将ZQ码加载到驱动器上。
-
公开(公告)号：CN112631506A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010759067.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴起硕
IPC: G06F3/06 , G11C11/4063 , G11C11/409
Abstract: 提供一种半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法。所述电子设备包括：半导体存储装置，被配置为存储工艺信息并将所述工艺信息输出到外部；以及主机，被配置为：从所述半导体存储装置读取所述工艺信息，并根据所述工艺信息选择多种操作模式中的一种操作模式以将其设置为所述半导体存储装置的操作模式。所述多种操作模式可以限定所述半导体存储装置的功耗或所述半导体存储装置的响应特性中的一者或更多者。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452423A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710248135.3
申请日：2017-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/32 , G06F3/0655 , G11C16/06
Abstract: 公开了一种操作存储设备的方法，该方法包括：将对用于内部操作的内部操作时间的请求发送到外部设备，从外部设备接收与请求相对应的内部操作命令，以及基于内部操作命令在内部操作时间期间执行内部操作。
-
公开(公告)号：CN111352881B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN201911130434.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
-
公开(公告)号：CN109994138B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201810730845.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093
Abstract: 本申请提供了一种半导体存储装置、存储器系统和电子装置。所述半导体存储装置被配置为：响应于模式设置命令而输入模式设置代码并设置在线数据；利用写命令处理数据位数信息以产生第一数据信号；利用读命令处理数据位数信息以产生第二数据信号；基于使用行地址和激活命令产生的字线选择信号和使用列地址和写命令或读命令产生的列选择信号来存取所选存储器单元；响应于第一数据信号，处理第一数量的数据位并将第一数量的数据位发送到所选的存储器单元，并且响应于第二数据信号，处理从所选的存储器单元接收的数据并输出第二数量的数据位。
-
公开(公告)号：CN106409324B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201610621144.8
申请日：2016-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。
-
公开(公告)号：CN110097906A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910001529.8
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , H03K3/017
Abstract: 公开一种调节占空比的存储器装置和具有存储器装置的存储器系统。一种存储器装置包括：时钟接收器，被配置为：从存储器控制器接收用于在数据写入操作期间接收写入数据的写入时钟；占空比监视器，被配置为：通过监视写入时钟的占空比生成第一监视信息；占空比调节器，被配置为：响应于占空比控制信号，调节写入时钟的占空比并且输出调节的写入时钟。存储器装置将第一监视信息提供给存储器控制器，并且从存储器控制器接收使用第一监视信息生成的占空比控制信号。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.036 seconds)
