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发明公开
套刻改进方法和包括该方法的制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118672080A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311643166.0

申请日：2023-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄淙昡 , 李在镒 , 罗暻朝

IPC: G03F9/00 , G03F7/20

Abstract: 一种用于改进超高阶分量的套刻参数的套刻校正方法，包括：通过测量获得套刻的未对准分量；将未对准分量转换为套刻参数；在套刻参数之间应用转换逻辑；将套刻参数转换为像差输入数据；以及通过将像差输入数据应用于曝光机来执行曝光工艺，其中，套刻参数被划分为第一套刻参数和第二套刻参数，第一套刻参数在作为狭缝的延伸方向的第一方向上偏移第二套刻参数在垂直于第一方向的第二方向上偏移，并且执行曝光工艺包括校正第一套刻参数和第二套刻参数，第一套刻参数和第二套刻参数包括相对于狭缝在第一方向上的位置的三阶或更高阶分量。

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