-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114649273A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111454605.4
申请日：2021-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/16 , H01L23/64 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体封装件包括其中设置有连接布线的支撑基板。至少一个电容器设置在支撑基板上。电容器具有从支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。再分布布线层覆盖支撑基板的上表面。再分布布线层具有分别与连接布线以及第一电极和第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在再分布布线层上。半导体芯片具有芯片焊盘和外连接器，芯片焊盘电连接到再分布布线，外连接器设置在支撑基板的下表面上并电连接到连接布线。
-
公开(公告)号：CN111755395A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911299256.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；芯结构，设置在所述连接结构的表面上；半导体芯片，设置在所述表面上，并且包括电连接到所述连接结构的所述重新分布层的连接垫；第一包封剂，设置在所述表面上并且覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分；天线基板，设置在所述第一包封剂上并且包括一个或更多个布线层，所述布线层的至少一部分包括天线图案；以及贯穿过孔，贯穿所述连接结构、所述芯结构、所述第一包封剂和所述天线基板中的每个的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN117410272A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310826770.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底，包括：第一再分布构件，包括第一表面和第二表面，并且包括第一再分布层；互连芯片，在第二表面下方，并且包括电连接到第一再分布层的互连电路；过孔结构，在互连芯片周围，并且电连接到第一再分布层；密封物，在第二表面与互连芯片和过孔结构之间；第一柱，延伸穿过密封物，以将第一再分布层和互连电路电连接；第二柱，延伸穿过密封物，以将第一再分布层和过孔结构电连接；以及连接凸块，在互连芯片和过孔结构下方；以及第一芯片结构和第二芯片结构，在第一再分布构件的第一表面上，并且电连接到第一再分布层。第一柱和第二柱具有不同的形状。
-
公开(公告)号：CN113284862B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110188275.2
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。
-
公开(公告)号：CN113284862A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110188275.2
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.017 seconds)
