-
公开(公告)号：CN111180409A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911063855.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表面上并且具有使所述连接垫的至少一部分暴露的开口的钝化层以及覆盖暴露于所述开口的所述连接垫的覆盖垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括连接到所述覆盖垫的连接过孔以及连接到所述连接过孔的重新分布层，其中，所述覆盖垫包括：中央部，设置在所述开口中；以及周边部，从所述中央部延伸到所述钝化层上并且具有尺寸与所述中央部的晶粒的尺寸不同的晶粒。
-
公开(公告)号：CN110875273A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910358470.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案；半导体芯片，设置在所述第一表面上，并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN110875273B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201910358470.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案；半导体芯片，设置在所述第一表面上，并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN111146159A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911074804.5
申请日：2019-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/42
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件。该半导体封装件包括具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层的连接结构。半导体芯片设置在连接结构的第一表面上并且具有连接到重新分布层的连接垫。包封剂设置在连接结构的第一表面上并且覆盖半导体芯片。支撑图案设置在包封剂的上表面的一部分上。散热结合材料具有在与半导体芯片叠置的区域中嵌在包封剂中的部分，并且散热结合材料延伸至包封剂的上表面以覆盖支撑图案。散热元件通过散热结合材料结合到包封剂的上表面。
-
公开(公告)号：CN110896061A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910389722.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括钝化膜和保护膜，所述钝化膜设置在有效表面上并且具有使连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口，所述保护膜设置在所述钝化膜上，填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔，所述绝缘层具有连接到所述第二开口的通路孔，以使所述连接焊盘的至少一部分暴露，所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接，以具有台阶部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111180409B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201911063855.8
申请日：2019-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括设置在所述半导体芯片的有效表面上的连接垫、设置在所述连接垫和所述有效表面上并且具有使所述连接垫的至少一部分暴露的开口的钝化层以及覆盖暴露于所述开口的所述连接垫的覆盖垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括连接到所述覆盖垫的连接过孔以及连接到所述连接过孔的重新分布层，其中，所述覆盖垫包括：中央部，设置在所述开口中；以及周边部，从所述中央部延伸到所述钝化层上并且具有尺寸与所述中央部的晶粒的尺寸不同的晶粒。
-
公开(公告)号：CN117410272A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310826770.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底，包括：第一再分布构件，包括第一表面和第二表面，并且包括第一再分布层；互连芯片，在第二表面下方，并且包括电连接到第一再分布层的互连电路；过孔结构，在互连芯片周围，并且电连接到第一再分布层；密封物，在第二表面与互连芯片和过孔结构之间；第一柱，延伸穿过密封物，以将第一再分布层和互连电路电连接；第二柱，延伸穿过密封物，以将第一再分布层和过孔结构电连接；以及连接凸块，在互连芯片和过孔结构下方；以及第一芯片结构和第二芯片结构，在第一再分布构件的第一表面上，并且电连接到第一再分布层。第一柱和第二柱具有不同的形状。
-
公开(公告)号：CN114121924A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110827884.8
申请日：2021-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装包括基板、布置在基板中并具有芯片焊盘的至少一个半导体芯片、以及覆盖基板的下表面并包括第一重分布布线和第二重分布布线以及虚设图案的重分布布线层，第一重分布布线和第二重分布布线堆叠在至少两个高度上并连接到芯片焊盘。第一重分布布线和第二重分布布线布置在重分布布线层的重分布区域中，并且虚设图案在重分布区域外侧的外部区域中延伸以分别部分地覆盖重分布布线层的角部。
-
公开(公告)号：CN117374044A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310831969.2
申请日：2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/492 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底以及第一芯片结构和第二芯片结构，衬底包括：重分布构件，该重分布构件具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括设置在第一表面上的焊盘结构和电连接到焊盘结构的重分布层；互连芯片，设置在重分布构件的第二表面上，并且包括电连接到重分布层的互连电路；过孔结构，设置在互连芯片周围，并且电连接到重分布层；密封剂，密封互连芯片和过孔结构中的每一个的至少一部分；以及凸块结构，设置在密封剂上，第一芯片结构和第二芯片结构设置在重分布构件的第一表面上，并且电连接到焊盘结构。
-
公开(公告)号：CN110896061B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201910389722.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括钝化膜和保护膜，所述钝化膜设置在有效表面上并且具有使连接焊盘的至少一部分暴露的第一开口，所述保护膜设置在所述钝化膜上，填充所述第一开口中的至少一部分并且具有使所述连接焊盘的至少一部分在所述第一开口中暴露的第二开口；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，包括绝缘层、重新分布层以及连接过孔，所述绝缘层具有连接到所述第二开口的通路孔，以使所述连接焊盘的至少一部分暴露，所述连接过孔将所述连接焊盘连接到所述重新分布层同时填充所述通路孔和所述第二开口中的每个的至少一部分。所述第二开口和所述通路孔连接，以具有台阶部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.021 seconds)
