公开(公告)号：CN119905484A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410707243.2

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 ,  申宪宗 ,  金善宇 ,  韩成奎

IPC: H01L23/538 ,  H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：基底绝缘层；沟道层，在基底绝缘层的第一表面上；第一源/漏图案和第二源/漏图案，在基底绝缘层的第一表面上在第一方向上彼此间隔开，沟道层介于第一源/漏图案和第二源/漏图案之间；栅极结构，在基底绝缘层的第一表面上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；下布线结构，在基底绝缘层的第二表面上；以及贯穿电极，与栅极结构间隔开，第一源/漏图案在贯穿电极和栅极结构之间。贯穿电极可以穿透基底绝缘层，并且将第一源/漏图案电连接到下布线结构。第一方向可以与基底绝缘层的第一表面平行。

公开(公告)号：CN119521760A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410342405.7

申请日：2024-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗珉 ,  申宪宗 ,  朴葰颖 ,  张在兰 ,  李上羲 ,  克尔姆·里姆 ,  韩成奎

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件，包括：下层间绝缘层；第一有源图案和第二有源图案，在下层间绝缘层上；栅电极，在第一有源图案和第二有源图案上；第一源区，在栅电极的第一侧上；第二源区，在栅电极的第二侧上；第三源区，在栅电极的第一侧上；漏区，在栅电极的第二侧上；第一接触部，与栅电极相邻，并且连接到第一源区和第三源区；第二接触部，与栅电极相邻，并且连接到第二源区；第三接触部，与栅电极相邻，并且连接到漏区；下布线层，在下层间绝缘层内部；以及通孔，将下布线层和第一接触部连接。

公开(公告)号：CN119155987A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410651686.4

申请日：2024-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩成奎 ,  申宪宗 ,  朴葰颖 ,  李上羲 ,  张在兰 ,  郑旻基

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种集成电路半导体器件，包括：基底层，包括第一表面和第二表面；栅极结构，在基底层的第一表面上；第一源漏区，在栅极结构的一侧上；第二源漏区，在栅极结构的另一侧上；第一占位部，在第一源漏区的下部中的基底层中，并且电连接到第一源漏区；第二占位部，在第二源漏区的下部中的基底层中；以及金属电力轨，在基底层的第二表面上的第一占位部和第二占位部上，并且电连接到第一占位部。