公开(公告)号：CN104103638B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410105617.X

申请日：2014-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白圣权 ,  南甲镇 ,  金珍石 ,  闵智英 ,  郑恩爱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供了一种半导体装置及半导体模块。所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。

公开(公告)号：CN104103638A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410105617.X

申请日：2014-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白圣权 ,  南甲镇 ,  金珍石 ,  闵智英 ,  郑恩爱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供了一种半导体装置及半导体模块。所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。