公开(公告)号：CN113782527A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110246328.1

申请日：2021-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡震 ,  李美珍 ,  全燦熙

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供一种具有小尺寸、低导通电压和低导通电阻的静电放电(ESD)器件以及包括该ESD器件的ESD保护电路。ESD器件包括：阱，形成在衬底中，以具有第一导电类型；有源区域，被限定在衬底的上部；多个鳍，在第一方向上延伸，以具有从衬底突出的结构；第一导电杂质区域，使用第一导电杂质形成；第二导电杂质区域，使用第二导电杂质形成；以及鳍切割隔离区域，在第一方向上设置在第一导电杂质区域与第二导电杂质区域之间，以切割每一个鳍，其中，鳍切割隔离区域的底表面高于有源区域的底表面。

公开(公告)号：CN112928110A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011036926.8

申请日：2020-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡震 ,  李美珍 ,  金楠琥 ,  全灿熙

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体器件包括：第一阱区，在衬底中并且彼此间隔开；连接掺杂区，在第一阱区之间；以及第一互连线，通过第一触点电连接到连接掺杂区。第一阱区和连接掺杂区包括具有第一导电类型的杂质，并且连接掺杂区中的杂质的浓度高于第一阱区中的杂质的浓度。第一阱区延伸到衬底中的深度大于连接掺杂区延伸到衬底中的深度。连接掺杂区的第一部分设置在第一阱区中，并且连接掺杂区的第二部分接触衬底。

公开(公告)号：CN102569356A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110431885.7

申请日：2011-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  金汉求 ,  金昌洙 ,  金锡震 ,  金琯英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/73 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有保护环的半导体装置、显示驱动器电路和显示设备。该半导体装置包括：半导体基底，具有第一导电类型；至少两个第一阱区域，在半导体基底中具有第二导电类型和预定深度；至少一个第二阱区域，在每个第一阱区域中具有第一导电类型和预定深度；保护环区域，具有第二导电类型和预定深度，并位于第一阱区域之间，以与第一阱区域分开预定的距离。保护环区域连接到地电压。

公开(公告)号：CN117913760A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311339542.7

申请日：2023-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡震 ,  赵相容 ,  金彦局 ,  全灿熙

IPC: H02H9/04

Abstract: 静电放电钳位电路包括：连接在第一和第二节点之间的电阻器；连接在第二和第三节点之间的第一电容器；连接在第四和第三节点之间的第二电容器；连接在第五和第三节点之间的第三电容器；基于第二节点的电压提供电源电压或第四节点的电压的第一反相器；基于第四节点的电压提供第一反相器输出电压或第五节点的电压的第二反相器；配置为基于第五节点的电压提供第二反相器输出电压或地电压的第三反相器；和串联在向其提供电源电压的第一节点和向其提供地电压的第三节点之间的第一至第三钳位晶体管。第一钳位晶体管配置为基于第一反相器输出电压操作，第二钳位晶体管配置为基于第二反相器输出电压操作，第三钳位晶体管配置为基于第三反相器输出电压操作。

公开(公告)号：CN101093984B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200710128246.7

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任敬植 ,  金汉求 ,  高在赫 ,  孙日宪 ,  金锡震

IPC: H03K5/08

CPC classification number: H05K9/0067

Abstract: 提供一种箝位电路，其可以通过使用已包括在电路中的晶体管而将电路节点处的电压箝位到稳定电平。当发生静电放电(ESD)时，箝位电路可以将半导体芯片内部的电路的第一节点处的电压箝位到更稳定的电平。箝位电路可包括晶体管和电容性元件以存储用来响应于ESD而导通晶体管的控制电压。

公开(公告)号：CN101093984A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710128246.7

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任敬植 ,  金汉求 ,  高在赫 ,  孙日宪 ,  金锡震

IPC: H03K5/08

CPC classification number: H05K9/0067

Abstract: 提供一种箝位电路，其可以通过使用已包括在电路中的晶体管而将电路节点处的电压箝位到稳定电平。当发生静电放电(ESD)时，箝位电路可以将半导体芯片内部的电路的第一节点处的电压箝位到更稳定的电平。箝位电路可包括晶体管和电容性元件以存储用来响应于ESD而导通晶体管的控制电压。