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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN112928110A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011036926.8

申请日：2020-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡震 , 李美珍 , 金楠琥 , 全灿熙

IPC: H01L27/02 , H01L29/06

Abstract: 半导体器件包括：第一阱区，在衬底中并且彼此间隔开；连接掺杂区，在第一阱区之间；以及第一互连线，通过第一触点电连接到连接掺杂区。第一阱区和连接掺杂区包括具有第一导电类型的杂质，并且连接掺杂区中的杂质的浓度高于第一阱区中的杂质的浓度。第一阱区延伸到衬底中的深度大于连接掺杂区延伸到衬底中的深度。连接掺杂区的第一部分设置在第一阱区中，并且连接掺杂区的第二部分接触衬底。

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