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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695391B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810288244.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。
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公开(公告)号：CN1747380A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099923.8
申请日：2005-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李载明
IPC: H04L9/00
CPC classification number: H04L9/0637
Abstract: 对分组加密数据进行解密包括：对经过分组加密的输入数据进行解析，并且将解析数据划分为密文和第一明文，其中第一明文定义了应用于密文的解密策略；基于解析处理所划分的第一明文而从至少一种解密策略中选择解密策略，以便优先解密密文分组；依照选定的解密策略来优先解密那些由解析处理划分的密文分组，并且将经过解密的分组转换成第二明文；以及基于第一和第二明文来选择应用于输入数据的转换明文控制策略，并且依照明文控制策略而对来自密文的未解密分组执行后续处理。
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公开(公告)号：CN108695391A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810288244.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。
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公开(公告)号：CN111324002B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910795188.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了如下所述的一种制造半导体器件的方法。生成掩模布局，该掩模布局用于形成包括矩形凹口的多高度单元的目标图案。从掩模布局中检测与矩形凹口相对应的初步矩形掩模图案。多高度单元由在一个方向上布置并彼此连接的标准单元形成，并且矩形凹口设置在两个相邻的标准单元之间。响应于检测到初步矩形掩模图案，将六边形掩模图案放置在初步矩形掩模图案的至少一个短边上，以生成组合掩模图案。组合掩模图案的外边界保留在掩模布局中并且对应于目标图案的矩形凹口。基于组合掩模图案，形成目标掩模和半导体器件。
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公开(公告)号：CN111324002A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910795188.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了如下所述的一种制造半导体器件的方法。生成掩模布局，该掩模布局用于形成包括矩形凹口的多高度单元的目标图案。从掩模布局中检测与矩形凹口相对应的初步矩形掩模图案。多高度单元由在一个方向上布置并彼此连接的标准单元形成，并且矩形凹口设置在两个相邻的标准单元之间。响应于检测到初步矩形掩模图案，将六边形掩模图案放置在初步矩形掩模图案的至少一个短边上，以生成组合掩模图案。组合掩模图案的外边界保留在掩模布局中并且对应于目标图案的矩形凹口。基于组合掩模图案，形成目标掩模和半导体器件。
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