公开(公告)号：CN1808699A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510129754.8

申请日：2005-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金京民 ,  金东俊 ,  金秉东

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/31645 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/0688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在金属－绝缘体－金属(MIM)电容器中形成氮化钛层的方法。氮化钛层的沉积使用金属－有机材料作为源气体，通过MOCVD法实现，伴随着在高温下的快速热工艺(RTP)。通过RTP，除去在氮化钛层中的杂质，氮化钛层的表面积与RTP之前相比增大了。具有增大表面积的氮化钛层有益于MIM电容器的下电极。