公开(公告)号：CN1933141B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200610077873.8

申请日：2006-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴济民 ,  金炳鈗

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/3011

Abstract: 提供了具有硅化物层的接触结构、使用该接触结构的半导体器件、以及制造该结构和半导体器件的方法。该接触结构包括衬底上的第一导电区和第二导电区。绝缘层覆盖第一和第二导电区。第一接触孔和第二接触孔形成为穿过绝缘层并分别露出第一和第二导电区。具有第一厚度的第一硅化物层在由第一接触孔露出的第一导电区上。具有与第一厚度不同的第二厚度的第二硅化物层在由第二接触孔露出的第二导电区上。

公开(公告)号：CN1933141A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610077873.8

申请日：2006-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴济民 ,  金炳鈗

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823443 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/3011

Abstract: 提供了具有硅化物层的接触结构、使用该接触结构的半导体器件、以及制造该结构和半导体器件的方法。该接触结构包括衬底上的第一导电区和第二导电区。绝缘层覆盖第一和第二导电区。第一接触孔和第二接触孔形成为穿过绝缘层并分别露出第一和第二导电区。具有第一厚度的第一硅化物层在由第一接触孔露出的第一导电区上。具有与第一厚度不同的第二厚度的第二硅化物层在由第二接触孔露出的第二导电区上。