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公开(公告)号：CN116028380A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211313356.1
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种控制器、存储设备和操作存储设备的方法。所述控制器包括：中央处理器(CPU)，被配置为将与写入命令和数据一起从主机接收到的最新接收到的逻辑地址插入到逻辑地址列表中；热度确定电路，被配置为给所述最新接收到的逻辑地址分配最大权重，按衰减因子减小包括在所述逻辑地址列表中的接收到的逻辑地址的权重，并且对其值与所述最新接收到的逻辑地址的值相等的接收到的逻辑地址的权重求和，以确定所述最新接收到的逻辑地址的热度；参数调整电路，基于包括在所述逻辑地址列表中的所述接收到的逻辑地址的重复性指标来减小所述衰减因子的大小，其中，所述CPU被配置为基于所述热度来控制所述存储器件将所述数据存储在多个存储区域中的一者中。
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公开(公告)号：CN115686351A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210684338.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备、存储控制器和存储控制器的操作方法。根据本发明构思的存储设备包括非易失性存储器和存储控制器。非易失性存储器包括多个存储器块，每个存储器块包括由于工艺变化而具有不同保持强度的物理单元，并且保持强度分别对应于在物理单元的相应回收操作之前物理单元保持数据的时间。存储控制器从主机接收写入请求和数据，基于数据的热度和保持强度选择第一物理单元，并控制非易失性存储器将数据写入第一物理单元。
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公开(公告)号：CN116107916A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211336811.X
申请日：2022-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 提供了存储装置、存储装置的操作方法及存储系统。所述存储装置包括非易失性存储器和控制器。所述控制器被配置为将从主机接收到的逻辑地址插入到热列表中，以及管理存储所述逻辑地址被插入到所述热列表中的位置的热散列表。所述控制器进一步被配置为通过使用所述逻辑地址来搜索所述热散列表以检索所述逻辑地址被插入到所述热列表中的所述位置，基于搜索结果来确定与所述逻辑地址相对应的数据的属性，以及存储指示所述数据的属性的属性信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116028379A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211312797.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种控制器、存储设备和操作该存储设备的方法。所述存储设备包括存储器件和控制器，所述存储器件包括具有不同位密度的多个存储块。所述控制器包括：存储器，用于存储包括多个最近接收的逻辑地址的逻辑地址列表和包括所述逻辑地址列表中包括的每个逻辑地址的热度的热度表；以及处理器，被配置为：接收写入命令、最新逻辑地址和数据，更新所述热度表中的所述最新逻辑地址的热度，将所述最新逻辑地址插入到所述逻辑地址列表中，并且根据所述最新逻辑地址的热度是否超过阈值来控制所述存储器件将所述数据编程到所述多个存储块之一中，所述最新逻辑地址的热度是基于多久之前接收到与所述最新逻辑地址相同的逻辑地址来更新的。
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公开(公告)号：CN115691615A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210519220.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置和被配置为控制存储装置的存储控制器的操作方法。例如，所述存储装置可以包括非易失性存储器和存储控制器。所述非易失性存储器包括第一块和第二块，所述第一块包括各自存储N位数据的第一存储单元，并且所述第二块包括各自存储M位数据的第二存储单元。在对所述第一块的读取回收操作期间，所述存储控制器确定存储在所述第一块中的读取热数据并且将所述读取热数据写入到所述第二块。所述存储控制器可以选择对应于错误位数目等于或大于阈值的第一页面的第一字线，并且将在对应于与所述第一字线相邻的第二字线的页面中存储的数据确定为所述读取热数据。
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公开(公告)号：CN116028382A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211327688.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0882 , G06F3/06
Abstract: 本申请公开了控制器、存储设备和操作存储设备的方法。一种操作存储设备的方法，该存储设备包括具有最低位密度的第一存储区域、具有中等位密度的第二存储区域和具有最高位密度的第三存储区域，该方法包括：确定与写入命令和要写入的数据一起从主机接收的逻辑地址的热度；基于所确定的热度大于第一热度阈值，确定该第一存储区域的损耗程度是否大于损耗阈值；以及基于该第一存储区域的损耗程度大于该损耗阈值，增大该第一热度阈值并将该数据存储在该第二存储区域中。
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公开(公告)号：CN116401185A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211725365.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储控制器和存储装置。所述存储控制器包括：处理器，被配置为执行多个任务；以及调度模块，被配置为通过强化学习调度所述多个任务，并且将调度结果提供给处理器，其中，调度模块包括：资源分析模块，被配置为分析资源的使用历史和使用状态；访问模式分析模块，被配置为分析访问模式；队列分析模块，被配置为分析包括在队列中的信息；以及性能分析模块，被配置为分析任务执行结果，其中，调度模块还被配置为使用状态信息和奖励信息执行强化学习，并且其中，状态信息和奖励信息基于执行所述多个任务的执行而被确定。
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公开(公告)号：CN116027971A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211320092.2
申请日：2022-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供存储设备及其操作方法。该存储设备，包括：存储器件，其包括具有最低位密度的第一存储区域、具有中等位密度的第二存储区域和具有最高位密度的第三存储区域；以及控制器，被配置为控制该存储器件。该控制器被配置为将来自主机的数据确定为热数据、暖数据和冷数据中的任一者，被配置为将该热数据存储在该第一存储区域中，被配置为将该暖数据存储在该第二存储区域中，被配置为将该冷数据存储在该第三存储区域中，被配置为在包括在该第一存储区域中的第一存储块中选择源块，被配置为选择该第二存储区域和该第三存储区域中的每一者中的目标块，并且被配置为根据存储在该源块中的每项单位数据的热度将该每项单位数据迁移到该目标块中的一个目标块。
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