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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN119364760A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202410998996.3

申请日：2024-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰振 , 朴台镇 , 姜奎彰 , 李贤奎 , 林晟洙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：下电路图案、位线屏蔽结构、第一绝缘中间层、位线结构、第一接触插塞、沟道和电容器。下电路图案在衬底上。位线屏蔽结构在下电路图案上。第一绝缘中间层在延伸穿过位线屏蔽结构的开口中。位线结构在位线屏蔽结构上，并且在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上与位线屏蔽结构至少部分地重叠。第一接触插塞延伸穿过第一绝缘中间层以接触位线结构，并且电连接到下电路图案。沟道在位线结构上。电容器在沟道上并且电连接至沟道。

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