公开(公告)号：CN119694361A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411238013.2

申请日：2024-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰元 ,  禹俊命

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种存储器设备，包括包含存储器单元行的存储器单元阵列、基于第一种子和第一程度而生成n位第一伪随机位序列信号的第一随机数发生器、第一存储器单元行选取电路和第二存储器单元行选取电路、以及刷新控制电路。第一存储器单元行选取电路以第一周期随机地选择第一存储器单元行，并且将所选择的第一存储器单元行的行地址存储在第一队列中。第二存储器单元行选取电路以第二周期随机地选择第二存储器单元行，并且将所选择的第二存储器单元行的行地址存储在第二队列中。刷新控制电路对与对应于存储在第一队列和第二队列中的每个行地址的存储器单元行在物理上相邻的存储器单元行执行刷新操作。

公开(公告)号：CN119517139A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410730150.1

申请日：2024-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元英 ,  金泰元 ,  姜相熙 ,  金泰润

IPC: G11C29/44 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4078

Abstract: 提供了一种包括修复电路的存储器装置、该存储器装置的操作方法和存储器系统。该操作方法包括：基于对故障行地址进行预解码来输出表示经预解码故障行地址的信号；基于对行地址进行预解码来输出表示经预解码行地址的信号；基于将经预解码故障行地址的比特值与经预解码行地址的比特值进行比较来输出命中信号；基于命中信号输出修复使能信号；以及基于修复使能信号执行行修复操作。

公开(公告)号：CN117809718A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311250908.3

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰元

IPC: G11C16/24 ,  G11C16/26

Abstract: 一种存储器设备包括被配置为存储行地址的第一寄存器，被配置为存储行地址中的每一个的访问计数并在访问计数高于参考值时生成参考值标志信号的第二寄存器。该存储器设备还包括目标行刷新控制器，其被配置为响应于参考值标志信号，选择行地址中的一个作为第一目标行地址，对与第一目标行地址相邻的至少一个第一行地址执行第一刷新操作，随机选择行地址中的一个作为第二目标行地址，以及对与第二目标行地址相邻的至少一个第二地址执行第二刷新操作。当参考值标志信号指示访问计数不大于参考值时，可以执行第二刷新操作。

公开(公告)号：CN118430610A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410080230.7

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰润 ,  禹俊命 ,  金泰元 ,  卢亮均

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4094

Abstract: 一种LSA电路包括串联连接在局部I/O线和互补局部I/O线之间的第一感测晶体管和第二感测晶体管；被配置为在LSA电路的预感测操作期间将LSA感测电压驱动到第一感测晶体管和第二感测晶体管之间的连接节点的预感测驱动器；以及被配置为在LSA电路的主感测操作期间将LSA感测电压驱动到该连接节点的主感测驱动器。预感测驱动器的驱动强度被设置为弱于主感测驱动器的驱动强度，并且预感测驱动器在主感测驱动器之前被驱动。

公开(公告)号：CN111951872A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010268069.8

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳睿信 ,  金泰元 ,  吴伦娜

IPC: G11C29/00 ,  G11C29/12 ,  G11C29/44

Abstract: 一种半导体存储设备包括存储单元阵列、位线开关、块开关和列译码器。该存储单元阵列包括耦合到至少一个字线的存储块，并且存储块中的每个包括存储单元。位线开关连接在第一存储块的第一半局部输入/输出(I/O)线与第一存储块的第二半局部I/O线之间。块开关连接在第一存储块的第二半局部I/O线和与第一存储块相邻的第二存储块的第一半局部I/O线之间。列译码器包括修复电路，该修复电路通过向位线开关施加第一开关控制信号和向块开关施加第二开关控制信号来控制连接。

公开(公告)号：CN118538281A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410192943.2

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰元 ,  姜相熙 ,  玄基昊 ,  金泰润

IPC: G11C29/44 ,  G11C29/24

Abstract: 提供测试存储器装置的修复电路的方法和存储器装置。所述方法可包括：将第一地址存储在修复电路的第一寄存器中，其中，第一寄存器被配置为在存储器装置的正常操作期间存储故障地址，并且修复电路被配置为执行修复操作以用冗余地址替换故障地址；将测试地址存储在修复电路的第二寄存器中，其中，测试地址从测试主机提供；通过将存储在第一寄存器中的地址的位值与存储在第二寄存器中的地址的位值进行比较来输出命中信号；基于命中信号来输出修复使能信号；以及基于修复使能信号的逻辑电平来确定生成修复使能信号的路径的状态。