公开(公告)号：CN119694361A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411238013.2

申请日：2024-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰元 ,  禹俊命

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种存储器设备，包括包含存储器单元行的存储器单元阵列、基于第一种子和第一程度而生成n位第一伪随机位序列信号的第一随机数发生器、第一存储器单元行选取电路和第二存储器单元行选取电路、以及刷新控制电路。第一存储器单元行选取电路以第一周期随机地选择第一存储器单元行，并且将所选择的第一存储器单元行的行地址存储在第一队列中。第二存储器单元行选取电路以第二周期随机地选择第二存储器单元行，并且将所选择的第二存储器单元行的行地址存储在第二队列中。刷新控制电路对与对应于存储在第一队列和第二队列中的每个行地址的存储器单元行在物理上相邻的存储器单元行执行刷新操作。

公开(公告)号：CN118899014A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410395582.1

申请日：2024-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰润 ,  金东辉 ,  禹俊命

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/401

Abstract: 提供了位线读出放大器以及包括该位线读出放大器的半导体器件。所述位线读出放大器包括：放大器电路，所述放大器电路具有多个PMOS元件和多个NMOS元件；第一开关电路，所述第一开关电路向所述多个PMOS元件供应第一供电电压；以及第二开关电路，所述第二开关电路向所述多个NMOS元件供应低于所述第一供电电压的第二供电电压、高于所述第二供电电压的第一升压电压和低于所述第二供电电压的第二升压电压之一。所述第二开关电路基于读取操作的执行，向所述多个NMOS元件依次施加所述第一升压电压、所述第二升压电压和所述第二供电电压。

公开(公告)号：CN118430610A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410080230.7

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰润 ,  禹俊命 ,  金泰元 ,  卢亮均

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4094

Abstract: 一种LSA电路包括串联连接在局部I/O线和互补局部I/O线之间的第一感测晶体管和第二感测晶体管；被配置为在LSA电路的预感测操作期间将LSA感测电压驱动到第一感测晶体管和第二感测晶体管之间的连接节点的预感测驱动器；以及被配置为在LSA电路的主感测操作期间将LSA感测电压驱动到该连接节点的主感测驱动器。预感测驱动器的驱动强度被设置为弱于主感测驱动器的驱动强度，并且预感测驱动器在主感测驱动器之前被驱动。