公开(公告)号：CN116156891A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211480687.4

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔孝锡 ,  金暻善 ,  孙熙政 ,  姜敏珠 ,  安性俊

IPC: H10B43/00 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：单元衬底，包括单元阵列区和延伸区；栅电极，堆叠在单元衬底上，栅电极包括钼；以及单元阵列区中的沟道结构，沟道结构穿透栅电极，其中，栅电极中的至少一个在沟道结构之间的区域中包括至少一个空隙。

公开(公告)号：CN108630809A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810239016.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  金暻善

IPC: H01L45/00

Abstract: 公开了一种在半导体制造中形成目标层的方法，该方法包括以下步骤：通过执行第一处理至少一次来形成第一层，以及通过执行第二处理至少一次来形成第二层，其中，第一处理可以包括供给第一源气体、供给第二源气体若干次以及供给惰性气体若干次。

公开(公告)号：CN110277495B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201910135852.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑载琥 ,  金暻善 ,  朴正熙 ,  朴志镐 ,  朴昌叶

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的设备和方法。所述设备可以包括：腔室，包括壳体和用于打开或关闭壳体的一部分的隔离阀；加热器卡盘，设置在壳体的下部区域中并被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方；等离子体电极，设置在壳体的上部区域中并用于在靶上产生等离子体；散热屏蔽件，在等离子电极与加热器卡盘之间围绕壳体的内壁；边缘加热结构，设置在散热屏蔽件以及壳体的内壁之间，并且被构造为加热散热屏蔽件以及基底的边缘区域并减小基底的中心区域与边缘区域之间的温度差异。

公开(公告)号：CN108630809B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201810239016.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  金暻善

IPC: H10N70/00

Abstract: 公开了一种在半导体制造中形成目标层的方法，该方法包括以下步骤：通过执行第一处理至少一次来形成第一层，以及通过执行第二处理至少一次来形成第二层，其中，第一处理可以包括供给第一源气体、供给第二源气体若干次以及供给惰性气体若干次。

公开(公告)号：CN110277495A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910135852.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑载琥 ,  金暻善 ,  朴正熙 ,  朴志镐 ,  朴昌叶

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的设备和方法。所述设备可以包括：腔室，包括壳体和用于打开或关闭壳体的一部分的隔离阀；加热器卡盘，设置在壳体的下部区域中并被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方；等离子体电极，设置在壳体的上部区域中并用于在靶上产生等离子体；散热屏蔽件，在等离子电极与加热器卡盘之间围绕壳体的内壁；边缘加热结构，设置在散热屏蔽件以及壳体的内壁之间，并且被构造为加热散热屏蔽件以及基底的边缘区域并减小基底的中心区域与边缘区域之间的温度差异。