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公开(公告)号：CN110277492B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910123967.1
申请日：2019-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括在基底上形成成型层，成型层具有暴露基底的一部分的孔；在孔中形成具有空隙的相变层；对相变层进行热处理以从相变层去除空隙。相变层的热处理步骤可以包括将基底加热至第一温度以在相变层中形成扩散层，第一温度可以比相变层的熔点的55％低或等于相变层的熔点的55％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110277495B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910135852.4
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的设备和方法。所述设备可以包括：腔室，包括壳体和用于打开或关闭壳体的一部分的隔离阀；加热器卡盘，设置在壳体的下部区域中并被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方；等离子体电极，设置在壳体的上部区域中并用于在靶上产生等离子体；散热屏蔽件，在等离子电极与加热器卡盘之间围绕壳体的内壁；边缘加热结构，设置在散热屏蔽件以及壳体的内壁之间，并且被构造为加热散热屏蔽件以及基底的边缘区域并减小基底的中心区域与边缘区域之间的温度差异。
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公开(公告)号：CN110277495A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910135852.4
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的设备和方法。所述设备可以包括：腔室，包括壳体和用于打开或关闭壳体的一部分的隔离阀；加热器卡盘，设置在壳体的下部区域中并被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方；等离子体电极，设置在壳体的上部区域中并用于在靶上产生等离子体；散热屏蔽件，在等离子电极与加热器卡盘之间围绕壳体的内壁；边缘加热结构，设置在散热屏蔽件以及壳体的内壁之间，并且被构造为加热散热屏蔽件以及基底的边缘区域并减小基底的中心区域与边缘区域之间的温度差异。
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公开(公告)号：CN110277492A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910123967.1
申请日：2019-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法。所述方法可以包括在基底上形成成型层，成型层具有暴露基底的一部分的孔；在孔中形成具有空隙的相变层；对相变层进行热处理以从相变层去除空隙。相变层的热处理步骤可以包括将基底加热至第一温度以在相变层中形成扩散层，第一温度可以比相变层的熔点的55％低或等于相变层的熔点的55％。
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公开(公告)号：CN110273135A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910116710.3
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种准直器、一种制造半导体装置的设备和方法。制造设备可以包括：腔室；加热器卡盘，设置在腔室的下区域中，并且被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方，靶包含用于将要沉积在基底上的薄层的源；等离子体电极，设置在腔室的上区域中并且被构造为在靶附近产生等离子体，从而从源产生粒子；准直器，设置在加热器卡盘与靶之间。
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