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公开(公告)号：CN116156891A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211480687.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔孝锡 , 金暻善 , 孙熙政 , 姜敏珠 , 安性俊
IPC: H10B43/00 , H10B43/40 , H10B43/20
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：单元衬底，包括单元阵列区和延伸区；栅电极，堆叠在单元衬底上，栅电极包括钼；以及单元阵列区中的沟道结构，沟道结构穿透栅电极，其中，栅电极中的至少一个在沟道结构之间的区域中包括至少一个空隙。
