公开(公告)号：CN108807411B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201710295706.9

申请日：2017-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星中

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置。三维半导体存储器装置包括：下选择栅极，位于半导体基底上；下栅极绝缘层，位于下选择栅极与半导体基底之间；以及有源图案，在与半导体基底的上表面垂直的方向上延伸，并穿透下选择栅极和下栅极绝缘层。下栅极绝缘层具有位于比半导体基底的上表面低的下表面。

公开(公告)号：CN109390344A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810825304.X

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星中 ,  任峻成 ,  黄盛珉

IPC: H01L27/11556

Abstract: 公开了一种三维半导体器件。该器件可以包括电极结构，电极结构可包括堆叠在衬底上并在第一方向上延伸的多个电极。垂直结构可穿透电极结构以提供在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开的多个列。所述多个列可包括与电极结构的相应相反边缘相邻安置的第一边缘列和第二边缘列，并且所述多个列可包括位于第一边缘列与第二边缘列之间的中心列。所述多个列中的相邻列之间的距离可以在从第一边缘列和第二边缘列朝向中心列的方向上减小。

公开(公告)号：CN108807411A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710295706.9

申请日：2017-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星中

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置。三维半导体存储器装置包括：下选择栅极，位于半导体基底上；下栅极绝缘层，位于下选择栅极与半导体基底之间；以及有源图案，在与半导体基底的上表面垂直的方向上延伸，并穿透下选择栅极和下栅极绝缘层。下栅极绝缘层具有位于比半导体基底的上表面低的下表面。

公开(公告)号：CN108735740A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710243320.3

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星中

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：层叠栅结构，包括层叠在基板上并在第一方向延伸的上选择栅图案、虚设栅图案和单元栅图案；有源图案，在穿过层叠栅结构的同时彼此间隔开；以及栅电介质图案，插置在单元栅图案与有源图案之间、在上选择栅图案与有源图案之间以及在虚设栅图案与有源图案之间。上选择栅图案设置在单元栅图案当中的最上面的单元栅图案上并在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开。虚设栅图案设置在最上面的单元栅图案与上选择栅图案之间并在第二方向上彼此间隔开。