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公开(公告)号:CN100593820C
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200510092346.X
申请日:2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在这里公开的发明是一种非易失性存储设备。该非易失性存储设备包括:第一晶体管,其连接在第一电压和控制节点之间,并由第二电压控制;第二晶体管,其连接在第一电压和控制节点之间,并由第三电压控制;以及字线驱动器,用于响应控制节点的电压来驱动字线。在擦除操作期间,第二电压被设置为地电压。在擦除操作期间,第三电压被设置为电源电压。
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公开(公告)号:CN1107323C
公开(公告)日:2003-04-30
申请号:CN96110457.0
申请日:1996-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C7/065
Abstract: 本发明提供一种具有“与非”结构单元的闪速电可擦可编程只读存储器装置的读出放大器电路,与存储器单元阵列连接的位线和与输入/输出门电路连接的子位线之间设置位线绝缘部,在该位线绝缘部施加绝缘控制信号,在子位线上连接电压控制电流源,在该电压控制电流源和信号线之间连接切换部。因绝缘控制信号在读出操作中变为无效状态,并在读出操作中,由于位线和读出放大器电路完全绝缘,所以读出操作则完全不受位线负载影响,可提高读出速度,减少峰值电流。
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公开(公告)号:CN1758370A
公开(公告)日:2006-04-12
申请号:CN200510092346.X
申请日:2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在这里公开的发明是一种非易失性存储设备。该非易失性存储设备包括:第一晶体管,其连接在第一电压和控制节点之间,并由第二电压控制;第二晶体管,其连接在第一电压和控制节点之间,并由第三电压控制;以及字线驱动器,用于响应控制节点的电压来驱动字线。在擦除操作期间,第二电压被设置为地电压。在擦除操作期间,第三电压被设置为电源电压。
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公开(公告)号:CN1151593A
公开(公告)日:1997-06-11
申请号:CN96110457.0
申请日:1996-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C7/065
Abstract: 本发明提供一种具有NAND结构单元的闪速EEPROM装置的检测放大器电路,与存储器单元阵列连接的位线和与输入/输出门电路连接的子位线之间设置位线绝缘部,在该位线绝缘部施加绝缘控制信号,在子位线上连接电压控制电流源,在该电压控制电流源和信号线之间连接切换部。因绝缘控制信号在读出操作中变为无效状态,并在读出操作中,由于位线和检测放大器电路完全绝缘,所以读出操作则完全不受位线负载影响,可提高读出速度,减少峰值电流。
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