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公开(公告)号：CN1551226A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410047758.7
申请日：2004-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/00
CPC classification number: G11C7/1027 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C2207/005
Abstract: 公开一种闪速存储器装置，其中包括多个列，每个列都同多个存储器单元相连。列选择器电路根据列地址选择一部分列，并且多个读出放大器组同由列选择器电路选中的列相连。该列选择器电路根据是否是按4N排列该列地址，以可变方式选择列，其中N的值为等于或大于1的整数。例如，当列地址按4N排列时，列选择器电路选择该列地址的列，而当列地址不按4N排列时，列选择器电路选择高位列地址的列。
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公开(公告)号：CN100541649C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200410047758.7
申请日：2004-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/00
CPC classification number: G11C7/1027 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C2207/005
Abstract: 公开一种闪速存储器装置，其中包括多个列，每个列都同多个存储器单元相连。列选择器电路根据列地址选择一部分列，并且多个读出放大器组同由列选择器电路选中的列相连。该列选择器电路根据是否是按4N排列该列地址，以可变方式选择列，其中N的值为等于或大于1的整数。例如，当列地址按4N排列时，列选择器电路选择该列地址的列，而当列地址不按4N排列时，列选择器电路选择高位列地址的列。
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公开(公告)号：CN1758370A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510092346.X
申请日：2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在这里公开的发明是一种非易失性存储设备。该非易失性存储设备包括：第一晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第二电压控制；第二晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第三电压控制；以及字线驱动器，用于响应控制节点的电压来驱动字线。在擦除操作期间，第二电压被设置为地电压。在擦除操作期间，第三电压被设置为电源电压。
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公开(公告)号：CN100593820C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200510092346.X
申请日：2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在这里公开的发明是一种非易失性存储设备。该非易失性存储设备包括：第一晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第二电压控制；第二晶体管，其连接在第一电压和控制节点之间，并由第三电压控制；以及字线驱动器，用于响应控制节点的电压来驱动字线。在擦除操作期间，第二电压被设置为地电压。在擦除操作期间，第三电压被设置为电源电压。
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