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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875328A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910795057.8
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 一种三维半导体器件，包括：第一基板；在第一基板上的第二基板，第二基板包括图案部分和覆盖图案部分的板部分，板部分的宽度大于图案部分中的每个图案部分的宽度并且板部分连接到图案部分；在第一基板与第二基板之间的下部结构；在第二基板上的水平导电图案，水平导电图案在与第二基板的上表面垂直的方向上彼此间隔开地堆叠；以及在第二基板上并且具有与水平导电图案相对的侧表面的竖直结构。
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公开(公告)号：CN112802846B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202010794199.5
申请日：2020-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了垂直型非易失性存储器装置及其制造方法。所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括接触件；沟道结构，从基底沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；多个划分区，沿第一方向延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上划分单元阵列区和延伸区；在延伸区中，两个绝缘层坝布置在彼此相邻的两个划分区之间；第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；以及电极垫，连接到延伸区中的第一栅电极层。
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公开(公告)号：CN112802846A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010794199.5
申请日：2020-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 公开了垂直型非易失性存储器装置及其制造方法。所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括接触件；沟道结构，从基底沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；多个划分区，沿第一方向延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上划分单元阵列区和延伸区；在延伸区中，两个绝缘层坝布置在彼此相邻的两个划分区之间；第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；以及电极垫，连接到延伸区中的第一栅电极层。
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公开(公告)号：CN118695599A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410329505.6
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件。存储器件包括第一单元阵列堆叠、第二单元阵列堆叠和垂直接触，第一单元阵列堆叠包括第一栅极电极、第一沟道结构和分别连接到第一栅极电极并具有台阶形状的第一焊盘部分，第二单元阵列堆叠设置在第一单元阵列堆叠上并包括第二栅极电极、第二沟道结构和分别连接到第二栅极电极并具有台阶形状的第二焊盘部分，其中第二焊盘部分在第一方向上与第一焊盘部分重叠，垂直接触穿过第一焊盘部分中的任一个、在第一焊盘部分中的所述任一个下方的第一延伸部分、第二焊盘部分中的任一个和在第二焊盘部分中的所述任一个下方的第二延伸部分，以在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN115734610A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211045410.9
申请日：2022-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及包括其的数据存储系统。半导体器件包括在下部结构上的上部结构。上部结构包括包含栅极层的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直存储器结构、电连接到垂直存储器结构并在堆叠结构下方的位线、以及电连接到垂直存储器结构并在堆叠结构上的导电图案。垂直存储器结构包括绝缘核心区、在绝缘核心区上电连接到导电图案的第一焊盘图案、在绝缘核心区的侧表面和第一焊盘图案的侧表面上的电介质结构、以及沟道层。沟道层包括接触电介质结构的第一部分以及从第一部分延伸并且在第一焊盘图案的下表面和绝缘核心区的上表面之间的第二部分。
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