公开(公告)号：CN110010604B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201811552330.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金平浩 ,  具省模 ,  尹国汉 ,  金基烈 ,  金容焕

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。

公开(公告)号：CN110010604A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811552330.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金平浩 ,  具省模 ,  尹国汉 ,  金基烈 ,  金容焕

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。