公开(公告)号：CN118116942A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311541469.1

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大训 ,  金容准

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括具有光电转换元件的第一基板。第一栅电极在第一基板的第一侧。浮置扩散区在第一基板中。第一布线结构在第一侧，并包括第一布线层和第一接合焊盘。第二基板具有包括第二和第三栅电极的第三侧。杂质区在第二基板中。第二布线结构在第三侧，并包括第二布线层和直接接触第一接合焊盘的第二接合焊盘。第四栅电极在第二基板的第四侧。第三布线结构在第四侧并包括第三布线层。浮置扩散区通过第一布线结构和第二布线结构连接到杂质区。

公开(公告)号：CN103311264A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310072970.8

申请日：2013-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宰圭 ,  高升必 ,  金容准 ,  金恩靓

IPC: H01L27/24

CPC classification number: H01L45/00 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本公开提供了半导体器件。该半导体器件包括：第一半导体层，在基板上且在第一方向上延伸；多个第二半导体层，在第一半导体层上且在第一方向上间隔开；以及绝缘层结构，围绕第一半导体层的侧壁和多个第二半导体层的侧壁。第一半导体层可以具有第一导电类型，多个第二半导体层可以具有第二导电类型。