公开(公告)号：CN112736081A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202010738503.4

申请日：2020-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哉勳 ,  朴光浩 ,  孙龙勳 ,  宋炫知 ,  李耕希 ,  郑承宰

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：位线，在第一方向上延伸；第一导电图案，在与第一方向相交的第二方向上延伸；半导体图案，将位线与第一导电图案连接；第二导电图案，包括位于第一导电图案中的插入部；以及介电层，位于第一导电图案与第二导电图案之间。第二导电图案的插入部可以具有随着距半导体图案的距离增大而增大的宽度。

公开(公告)号：CN112750831A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011029630.3

申请日：2020-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴光浩 ,  金哉勳 ,  孙龙勳 ,  郑承宰

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一‑第一导线，位于基底上；第二‑第一导线，位于第一‑第一导线上；第一接触件，连接到第一‑第一导线；以及第二接触件，连接到第二‑第一导线，其中，第一‑第一导线在第一方向上突出超过第二‑第一导线，第一‑第一导线包括具有第一厚度的第一区域、具有第二厚度的第二区域和具有第三厚度的第三区域，第二厚度比第一厚度大，第三厚度比第一厚度小且比第二厚度小，并且第一‑第一导线的第二区域在第一‑第一导线的第一区域与第一‑第一导线的第三区域之间。

公开(公告)号：CN112736081B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202010738503.4

申请日：2020-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哉勳 ,  朴光浩 ,  孙龙勳 ,  宋炫知 ,  李耕希 ,  郑承宰

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：位线，在第一方向上延伸；第一导电图案，在与第一方向相交的第二方向上延伸；半导体图案，将位线与第一导电图案连接；第二导电图案，包括位于第一导电图案中的插入部；以及介电层，位于第一导电图案与第二导电图案之间。第二导电图案的插入部可以具有随着距半导体图案的距离增大而增大的宽度。

公开(公告)号：CN114068568A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110339130.8

申请日：2021-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑承宰 ,  朴光浩 ,  金哉勳

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一半导体图案和第二半导体图案，第二半导体图案与第一半导体图案在竖直方向上分开；第一位线和第二位线，第一位线电连接到第一半导体图案的第一源/漏区，第二位线电连接到第二半导体图案的第一源/漏区；字线结构，与第一半导体图案和第二半导体图案接触；以及第一数据存储元件和第二数据存储元件，第一数据存储元件电连接到第一半导体图案的第二源/漏区，第二数据存储元件电连接到第二半导体图案的第二源/漏区，其中，第一半导体图案和第二半导体图案是单晶的，其中，第一半导体图案的晶体取向不同于第二半导体图案的晶体取向。