公开(公告)号：CN112668272A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202010716289.2

申请日：2020-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴兴锡 ,  金周炳 ,  金相勋 ,  金局炫

IPC: G06F30/392 ,  G03F7/20 ,  G03F1/36

Abstract: 本申请公开了保持一致性的光学邻近校正方法和使用其制造掩模的方法。根据本申请，一种计算机可读介质包括程序代码，该程序代码在由处理电路运行时，使处理电路将半导体芯片的布局划分为多个片区，从多个片区中的每个的布局生成多个分段，其中多个片区中的第一片区包括第一分段并且多个片区中的第二片区包括第二分段，通过使用哈希函数计算分别与第一分段和第二分段相对应的哈希值，计算第一分段当中具有第一哈希值的分段的偏置值，基于偏置值计算代表值，以及将代表值应用于第一分段中具有第一哈希值的分段。

公开(公告)号：CN118112881A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310972633.8

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴兴锡 ,  金周炳 ,  金尚昱 ,  李熙俊 ,  郑芝银 ,  韩奎斌

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。一种光掩模制造方法包括：对设计图案执行光学邻近校正(OPC)以生成校正图案；以及制造具有所述校正图案的所述光掩模。执行所述OPC的步骤包括：将所述设计图案划分为多个区段；为所述多个区段中的每个区段产生哈希值；以及通过将第一校正偏移应用于所述多个区段中具有相同哈希值的区段来生成所述校正图案，其中，所述多个区段中的至少两个区段具有相同哈希值。产生所述哈希值的步骤包括：生成目标区段的关键区段；在所述关键区段周围创建查询区域；以及基于所述查询区域中的图案图像为所述目标区段产生所述哈希值。

公开(公告)号：CN112668272B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202010716289.2

申请日：2020-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴兴锡 ,  金周炳 ,  金相勋 ,  金局炫

IPC: G06F30/392 ,  G03F7/20 ,  G03F1/36

Abstract: 本申请公开了保持一致性的光学邻近校正方法和使用其制造掩模的方法。根据本申请，一种计算机可读介质包括程序代码，该程序代码在由处理电路运行时，使处理电路将半导体芯片的布局划分为多个片区，从多个片区中的每个的布局生成多个分段，其中多个片区中的第一片区包括第一分段并且多个片区中的第二片区包括第二分段，通过使用哈希函数计算分别与第一分段和第二分段相对应的哈希值，计算第一分段当中具有第一哈希值的分段的偏置值，基于偏置值计算代表值，以及将代表值应用于第一分段中具有第一哈希值的分段。

公开(公告)号：CN118519314A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311841570.9

申请日：2023-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李熙俊 ,  曹宇镛 ,  贝拉姆·耶尼卡亚 ,  金周炳 ,  金禹成

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  G06T7/13

Abstract: 提供了能够解决图案化的限制并改善图案化的可靠性的光学邻近校正(OPC)方法以及使用该OPC方法的掩模制造方法。在该OPC方法中，创建用于目标图案的矩形掩模布局，将矩形掩模布局的边缘分割成多个分段，创建第一形状可变点，以及通过将第一形状可变点移动到圆化目标图案上来创建第二形状可变点。此后，基于第二形状可变点来创建曲线掩模布局，基于曲线掩模布局提取轮廓，确定边缘放置误差(EPE)，以及根据预定标准重复所述操作，从而实现具有最小EPE的掩模布局。