公开(公告)号：CN112289846B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202010679062.5

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白圣权 ,  金兑泳 ,  金鹤善 ,  尹康五 ,  田昌勋 ,  林濬熙

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/60 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40

Abstract: 一种半导体器件包括设置在衬底上的栅极结构。栅极结构具有第一侧壁和与第一侧壁相反的第二侧壁。第一杂质区域设置在衬底的上部部分内。第一杂质区域与第一侧壁间隔开。第三杂质区域在衬底的上部部分内。第三杂质区域与第二侧壁间隔开。第一沟槽设置在衬底内在第一侧壁和第一杂质区域之间。第一沟槽与第一侧壁间隔开。第一阻挡绝缘图案设置在第一沟槽内。

公开(公告)号：CN111180356B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201910479796.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金会哲 ,  金东亿 ,  金兑泳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了结合基底的设备和结合基底的方法。基底结合设备包括下吸盘、上吸盘、位于上吸盘的中心部分上的电致动器、压力传感器以及控制器。下吸盘可以支撑下基底，上吸盘可以面对下吸盘，使得上吸盘的下表面面对下吸盘的上表面，并且上吸盘可以支撑上基底。电致动器可以使结合销穿过上吸盘下降以将压力施加到支撑在上吸盘上的上基底。压力传感器可以位于支撑在下吸盘上的下基底下方。压力传感器可以实时地感测由结合销施加到压力传感器的下降压力。控制器可以控制由结合销施加的下降压力。

公开(公告)号：CN109935524B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201811465732.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  任京彬 ,  金石镐 ,  金兑泳

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/77

Abstract: 一种基底结合设备和一种结合基底的方法，该设备包括：上卡盘，将第一基底固定到上卡盘的下表面上，使得第一基底向下变形为凹表面轮廓；下卡盘，布置在上卡盘下方并且将第二基底固定到下卡盘的上表面上，使得第二基底向上变形为凸表面轮廓；以及卡盘控制器，控制上卡盘和下卡盘以分别固定第一基底和第二基底，并且生成将第二基底的形状从平坦表面轮廓改变为凸表面轮廓的形状参数。

公开(公告)号：CN109768045B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201811331672.5

申请日：2018-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  崔茂林 ,  金东赞

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/23 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  G11C29/50 ,  G11C29/56

Abstract: 公开了三维半导体存储器件和检测其电故障的方法。该三维半导体存储器件包括：衬底，其具有第一导电性，并且包括具有彼此不同的阈值电压的单元阵列区和延伸区；堆叠结构，其在衬底上并包括堆叠电极；电垂直沟道，其穿透单元阵列区上的堆叠结构；以及虚设垂直沟道，其穿透延伸区上的堆叠结构。衬底包括：袋状阱，其具有第一导电性并在其上提供有堆叠结构；以及深阱，其围绕袋状阱并具有与第一导电性相反的第二导电性。

公开(公告)号：CN108389793B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201810093986.X

申请日：2018-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜泌圭 ,  金石镐 ,  金兑泳 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/60

Abstract: 一种制造基板结构的方法包括：提供在第一表面上包括第一器件区域的第一基板；提供在第二表面上包括第二器件区域的第二基板，使得第一器件区域的宽度大于第二器件区域的宽度；以及接合第一基板和第二基板，使得第一器件区域和第二器件区域彼此面对并且彼此电连接。

公开(公告)号：CN109103124B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810521429.3

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。

公开(公告)号：CN116744773A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310133622.0

申请日：2023-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵始衍 ,  金兑泳 ,  朴玄睦 ,  李奉镕 ,  早川幸夫

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/85 ,  H10N52/80 ,  H10N52/85 ,  H10B61/00 ,  H10N59/00 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了一种磁存储器件和操作其的方法。该磁存储器件包括：环路型磁道，具有在逆时针方向上排列的第一部分和第二部分；在第一部分的顶表面上的第一导电线；以及在第二部分的底表面上的第二导电线。磁道包括依次堆叠的下磁性层、间隔物层和上磁性层。第一导电线和第二导电线中的每条包括重金属。第一导电线和第二导电线中的每条配置为产生由在其中流动的电流引起的自旋轨道转矩。自旋轨道转矩使磁道中的磁畴在顺时针方向上或在逆时针方向上移动。

公开(公告)号：CN110690138B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201910174288.7

申请日：2019-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  金兑泳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了晶圆键合设备以及使用其的晶圆键合系统，所述晶圆键合设备包括：第一键合卡盘，将第一晶圆固定在第一键合卡盘的第一表面上；第二键合卡盘，将第二晶圆固定在第二键合卡盘的面对第一表面的第二表面上；键合起始构件，位于第一键合卡盘的中心处以将第一晶圆推向第二表面；以及膜构件，包括从第二表面的中心部分朝向第一表面突出的突起以及在围绕中心部分的外部区域上限定突起的平面部分。

公开(公告)号：CN110875219B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201910807004.3

申请日：2019-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  金兑泳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了衬底接合设备和衬底接合方法。衬底接合设备包括：衬底基座，支撑第一衬底；位于衬底基座上方的衬底保持器，保持第二衬底；衬底保持器包括多个可独立移动的保持指状物；以及腔室壳体，容纳衬底基座和衬底保持器。

公开(公告)号：CN118248653A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311426283.1

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  闵俊弘 ,  郑银淑 ,  曹昭惠

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括：第一基板，包括硅；第一绝缘层，与第一基板接触，第一绝缘层包括氧化硅，第一绝缘层具有第一浓度的硅；第二绝缘层，与第一绝缘层接触，第二绝缘层包括氧化硅，第二绝缘层具有第二浓度的硅，第二浓度低于第一浓度；以及在第二绝缘层上的结构。第一浓度是所述第一绝缘层中的硅的重量与所述第一绝缘层的总重量的比率，第二浓度是所述第二绝缘层中的硅的重量与第二绝缘层的总重量的比率，并且第一浓度在20wt％至50wt％的范围内。