公开(公告)号：CN101300320A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200580051984.5

申请日：2005-12-27

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆 ,  崔源永 ,  李泰永 ,  梁智喆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。

公开(公告)号：CN101300320B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200580051984.5

申请日：2005-12-27

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆 ,  崔源永 ,  李泰永 ,  梁智喆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。

公开(公告)号：CN100454800C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN02151854.8

申请日：2002-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宪基 ,  文庸石 ,  朴相焕 ,  尹在升 ,  郭龙准 ,  朴洙元 ,  郑载薰

IPC: H04J13/02 ,  H04Q7/20 ,  H04B1/02 ,  H04L1/08

CPC classification number: H04L1/0066 ,  H04L1/0003 ,  H04L1/0069 ,  H04L1/1816 ,  H04L1/1819

Abstract: 一种在CDMA移动通信系统中同时执行信道编码和速率匹配的发送机。发送机按规定母编码率编码输入比特为编码比特，并对编码比特执行穿孔以便匹配编码比特数为预定编码率。而后，发送机同时执行用于穿孔或重复的速率匹配以便匹配编码比特数为通过无线信道发送的比特数。

公开(公告)号：CN1426188A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02151854.8

申请日：2002-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宪基 ,  文庸石 ,  朴相焕 ,  尹在升 ,  郭龙准 ,  朴洙元 ,  郑载薰

IPC: H04J13/02 ,  H04Q7/20 ,  H04B1/02 ,  H04L1/08

CPC classification number: H04L1/0066 ,  H04L1/0003 ,  H04L1/0069 ,  H04L1/1816 ,  H04L1/1819

Abstract: 一种在CDMA移动通信系统中同时执行信道编码和速率匹配的发送机。发送机按规定母编码率编码输入比特为编码比特，并对编码比特执行穿孔以便匹配编码比特数为预定编码率。而后，发送机同时执行用于穿孔或重复的速率匹配以便匹配编码比特数为通过无线信道发送的比特数。