公开(公告)号：CN101300320A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200580051984.5

申请日：2005-12-27

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆 ,  崔源永 ,  李泰永 ,  梁智喆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。

公开(公告)号：CN101300320B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200580051984.5

申请日：2005-12-27

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑载薰 ,  李仁庆 ,  崔源永 ,  李泰永 ,  梁智喆

IPC: C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。