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公开(公告)号：CN112310039A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010708912.X
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，包括第一单元区域、在第一方向上与第一单元区域相邻的第二单元区域以及在第二方向上与第一单元区域和第二单元区域相邻的比较区域；位线，在基板上在第一金属层级中并且在第一方向上延伸；以及在与第一金属层级不同的垂直层级处的第二金属层级中的第一接地轨。第一接地轨包括：在第一单元区域上在第二方向上延伸的第一子接地轨；在第二单元区域上在第二方向上延伸的第二子接地轨；第三子接地轨，在第一单元区域和第二单元区域上将第一子接地轨连接到第二子接地轨；以及第四子接地轨，从第三子接地轨分支并在第二方向上延伸。
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