公开(公告)号：CN116230043A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211503949.4

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭源 ,  尹锡 ,  李灿昊 ,  金兑衡 ,  白尚叶 ,  李仁学

IPC: G11C8/08 ,  G11C16/24 ,  G11C11/419

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一存储单元、在第一方向上与第一存储单元相邻的第二存储单元、以及在第二方向上与第一存储单元和第二存储单元相邻的比较器电路；真位线和互补位线，与第一存储单元和第二存储单元电连接并且从衬底上的第一布线层在第一方向上延伸；第一电源布线，位于第一布线层上，在真位线与互补位线之间在第一方向上延伸，并且与第一存储单元和第二存储单元电连接；第一字线和第二字线，从衬底上的第二布线层在第二方向上延伸；第一字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第一存储单元与第一字线电连接；第二字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第二存储单元与第二字线电连接；以及第一接地焊盘，位于第一布线层上。

公开(公告)号：CN117636954A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310844698.4

申请日：2023-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭源 ,  李灿昊 ,  金亨铁

IPC: G11C11/417 ,  G11C11/419

Abstract: 提供了一种包括参考电压发生器的SRAM及其读取方法，所述静态随机存取存储器，包括：存储单元，其存储数据；参考电压发生器，其生成参考电压；预充电电路，其通过位线与所述存储单元连接、通过参考位线与所述参考电压发生器连接，并且对所述位线和所述参考位线进行预充电；以及读出放大器，其与所述位线和所述参考位线连接，将所述位线的电压与所述参考位线的电压进行比较以生成比较结果，并且基于所述比较结果来确定存储在所述存储单元中的所述数据的值。所述参考电压发生器包括第一类型晶体管。

公开(公告)号：CN112310039A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010708912.X

申请日：2020-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹锡 ,  李灿昊 ,  赵郁来 ,  郑宇津 ,  崔圭源

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，包括第一单元区域、在第一方向上与第一单元区域相邻的第二单元区域以及在第二方向上与第一单元区域和第二单元区域相邻的比较区域；位线，在基板上在第一金属层级中并且在第一方向上延伸；以及在与第一金属层级不同的垂直层级处的第二金属层级中的第一接地轨。第一接地轨包括：在第一单元区域上在第二方向上延伸的第一子接地轨；在第二单元区域上在第二方向上延伸的第二子接地轨；第三子接地轨，在第一单元区域和第二单元区域上将第一子接地轨连接到第二子接地轨；以及第四子接地轨，从第三子接地轨分支并在第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN115346567A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210514866.9

申请日：2022-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿昊 ,  崔泰敏 ,  金柾均 ,  金亨哲 ,  尹锡 ,  李炷昌 ,  崔圭源

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C11/419

Abstract: 提供了一种提高操作速度且提高稳定性的伪双端口存储器设备。伪双端口存储器设备可以包括：存储器单元；位线对，其连接到存储器单元；写入驱动器；感应放大器；和列复用器，其连接到位线，接收写入复用器控制信号和读取复用器控制信号，响应于写入复用器控制信号而将位线连接到写入驱动器，并响应于读取复用器控制信号而将位线连接到感应放大器。连接到列复用器的预充电控制信号生成电路可以在读取复用器控制信号和写入复用器控制信号的基础上生成预充电控制信号，并且位线预充电电路可以基于预充电控制信号来对位线预充电。