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公开(公告)号：CN116230043A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211503949.4
申请日：2022-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C16/24 , G11C11/419
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一存储单元、在第一方向上与第一存储单元相邻的第二存储单元、以及在第二方向上与第一存储单元和第二存储单元相邻的比较器电路；真位线和互补位线，与第一存储单元和第二存储单元电连接并且从衬底上的第一布线层在第一方向上延伸；第一电源布线，位于第一布线层上，在真位线与互补位线之间在第一方向上延伸，并且与第一存储单元和第二存储单元电连接；第一字线和第二字线，从衬底上的第二布线层在第二方向上延伸；第一字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第一存储单元与第一字线电连接；第二字线焊盘，位于第一布线层上，并且将第二存储单元与第二字线电连接；以及第一接地焊盘，位于第一布线层上。
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公开(公告)号：CN118763069A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410869668.3
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种集成电路。所述集成电路包括：多个层，堆叠在第一方向上；多个单元电路，在与第一方向垂直的第二方向上至少部分地彼此叠置，并且被构造为彼此并行地操作；控制电路，被构造为产生控制信号以控制所述多个单元电路；以及多层导线，被构造为将来自控制电路的控制信号传输到所述多个单元电路。多层导线可以在布线层和通孔层中一体地形成，并且在第二方向上延伸。布线层和通孔层可以彼此相邻。
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公开(公告)号：CN119274630A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410885197.5
申请日：2024-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器装置及其操作方法。存储器装置可包括：单元阵列，其包括共享多条字线的第一部分和第二部分，多条字线包括第一组字线和第二组字线；第一列解码器，其被配置为选择连接到第一部分的第一组位线中的至少一条位线；第二列解码器，其被配置为选择连接到第二部分的第二组位线中的至少一条位线；和读取电路，其被配置为基于第一列解码器的输出与第二列解码器的输出之间的比较输出数据信号。第一部分包括多个第一存储器单元，多个第一存储器单元连接到第一组字线中的至少一条字线并被配置为存储用于校准存储器装置的校准数据的位，并且第二部分包括多个第二存储器单元，多个第二存储器单元连接到该至少一条字线并被配置为存储校准数据的取反位。
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公开(公告)号：CN110875277B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910716753.5
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种集成电路。所述集成电路包括：多个层，堆叠在第一方向上；多个单元电路，在与第一方向垂直的第二方向上至少部分地彼此叠置，并且被构造为彼此并行地操作；控制电路，被构造为产生控制信号以控制所述多个单元电路；以及多层导线，被构造为将来自控制电路的控制信号传输到所述多个单元电路。多层导线可以在布线层和通孔层中一体地形成，并且在第二方向上延伸。布线层和通孔层可以彼此相邻。
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公开(公告)号：CN117636954A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310844698.4
申请日：2023-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 提供了一种包括参考电压发生器的SRAM及其读取方法，所述静态随机存取存储器，包括：存储单元，其存储数据；参考电压发生器，其生成参考电压；预充电电路，其通过位线与所述存储单元连接、通过参考位线与所述参考电压发生器连接，并且对所述位线和所述参考位线进行预充电；以及读出放大器，其与所述位线和所述参考位线连接，将所述位线的电压与所述参考位线的电压进行比较以生成比较结果，并且基于所述比较结果来确定存储在所述存储单元中的所述数据的值。所述参考电压发生器包括第一类型晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112310039A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010708912.X
申请日：2020-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，包括第一单元区域、在第一方向上与第一单元区域相邻的第二单元区域以及在第二方向上与第一单元区域和第二单元区域相邻的比较区域；位线，在基板上在第一金属层级中并且在第一方向上延伸；以及在与第一金属层级不同的垂直层级处的第二金属层级中的第一接地轨。第一接地轨包括：在第一单元区域上在第二方向上延伸的第一子接地轨；在第二单元区域上在第二方向上延伸的第二子接地轨；第三子接地轨，在第一单元区域和第二单元区域上将第一子接地轨连接到第二子接地轨；以及第四子接地轨，从第三子接地轨分支并在第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110875277A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910716753.5
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种集成电路。所述集成电路包括：多个层，堆叠在第一方向上；多个单元电路，在与第一方向垂直的第二方向上至少部分地彼此叠置，并且被构造为彼此并行地操作；控制电路，被构造为产生控制信号以控制所述多个单元电路；以及多层导线，被构造为将来自控制电路的控制信号传输到所述多个单元电路。多层导线可以在布线层和通孔层中一体地形成，并且在第二方向上延伸。布线层和通孔层可以彼此相邻。
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公开(公告)号：CN116959527A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310309016.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419 , G11C11/418
Abstract: 提供了一种包括多位单元的存储器件及其操作方法。所述存储器件包括多个多位单元，其中，所述多个多位单元中的每一个多位单元包括多个位单元和输入电路，所述多个位单元共同地连接到列选择线，分别连接到多条写入字线，并且分别连接到多条读取字线，所述输入电路被配置为：向所述多个位单元提供与将要写入的位相对应的第一信号，其中，所述多个位单元中的每一个位单元包括锁存电路和读取电路，所述锁存电路被配置为：响应于写入字线被激活而接收所述第一信号，并且响应于所述写入字线被去激活或列选择线被去激活而锁存所述第一信号，所述读取电路被配置为：响应于读取字线被激活而将存储在所述锁存电路中的所述第一信号输出到位线。
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公开(公告)号：CN115346567A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210514866.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C7/12 , G11C7/22 , G11C8/08 , G11C11/419
Abstract: 提供了一种提高操作速度且提高稳定性的伪双端口存储器设备。伪双端口存储器设备可以包括：存储器单元；位线对，其连接到存储器单元；写入驱动器；感应放大器；和列复用器，其连接到位线，接收写入复用器控制信号和读取复用器控制信号，响应于写入复用器控制信号而将位线连接到写入驱动器，并响应于读取复用器控制信号而将位线连接到感应放大器。连接到列复用器的预充电控制信号生成电路可以在读取复用器控制信号和写入复用器控制信号的基础上生成预充电控制信号，并且位线预充电电路可以基于预充电控制信号来对位线预充电。
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公开(公告)号：CN108154896B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201711273558.7
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/419
Abstract: 本申请公开了一种静态随机存取存储器装置，包括：排列成行和列的多个存储器单元；写入驱动器，其配置为在写入操作中将对应于写入数据的位线电压施加至在所述多个存储器单元的列方向上延伸的位线；以及子电力线，其配置为在写入操作中将单元驱动电压传输至所述多个存储器单元，在平行于所述位线的方向上延伸，并包括第一节点和第二节点。将所述单元驱动电压施加至所述子电力线的第一节点，并且所述子电力线的第一节点与所述写入驱动器的输出节点在所述多个存储器单元的行方向上对齐。
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