公开(公告)号：CN110880504B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910792589.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成华 ,  朴洪培 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  郑多福 ,  曺玟锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位于衬底上并且彼此间隔开；以及将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案彼此分隔开的分隔图案。所述第一栅极图案包括第一高k介电图案和位于所述第一高k介电图案上的第一含金属图案，所述第一含金属图案覆盖所述第一高k介电图案的侧壁。所述第二栅极图案包括第二高k介电图案和位于所述第二高k介电图案上的第二含金属图案，并且所述分隔图案与所述第一含金属图案直接接触，而与所述第一高k介电图案间隔开。

公开(公告)号：CN112018169A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010111620.8

申请日：2020-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载晛 ,  李钟汉 ,  朴成华 ,  朴钟河 ,  禹宰勋 ,  郑多福

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种集成电路半导体装置，包括：第一区域，其包括第一晶体管；以及第二区域，其在第二方向上与第一区域接触。第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一有源鳍、在第二方向上从第一有源鳍延伸到第一隔离层上的第一栅极电介质层、以及在第一栅极电介质层上的第一栅电极。第二区域包括第二晶体管，第二晶体管包括在第一方向上延伸的第二有源鳍、在第二方向上从第二有源鳍延伸到第二隔离层上的第二栅极电介质层、以及在第二栅极电介质层上的第二栅电极。该集成电路半导体装置包括栅极电介质层去除区域，该栅极电介质层去除区域临近第一区域和第二区域之间的边界。

公开(公告)号：CN110880504A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910792589.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成华 ,  朴洪培 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  郑多福 ,  曺玟锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位于衬底上并且彼此间隔开；以及将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案彼此分隔开的分隔图案。所述第一栅极图案包括第一高k介电图案和位于所述第一高k介电图案上的第一含金属图案，所述第一含金属图案覆盖所述第一高k介电图案的侧壁。所述第二栅极图案包括第二高k介电图案和位于所述第二高k介电图案上的第二含金属图案，并且所述分隔图案与所述第一含金属图案直接接触，而与所述第一高k介电图案间隔开。