公开(公告)号：CN110880504B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910792589.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成华 ,  朴洪培 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  郑多福 ,  曺玟锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位于衬底上并且彼此间隔开；以及将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案彼此分隔开的分隔图案。所述第一栅极图案包括第一高k介电图案和位于所述第一高k介电图案上的第一含金属图案，所述第一含金属图案覆盖所述第一高k介电图案的侧壁。所述第二栅极图案包括第二高k介电图案和位于所述第二高k介电图案上的第二含金属图案，并且所述分隔图案与所述第一含金属图案直接接触，而与所述第一高k介电图案间隔开。

公开(公告)号：CN110880504A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910792589.6

申请日：2019-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成华 ,  朴洪培 ,  李载晛 ,  李钟汉 ,  郑多福 ,  曺玟锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位于衬底上并且彼此间隔开；以及将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案彼此分隔开的分隔图案。所述第一栅极图案包括第一高k介电图案和位于所述第一高k介电图案上的第一含金属图案，所述第一含金属图案覆盖所述第一高k介电图案的侧壁。所述第二栅极图案包括第二高k介电图案和位于所述第二高k介电图案上的第二含金属图案，并且所述分隔图案与所述第一含金属图案直接接触，而与所述第一高k介电图案间隔开。