公开(公告)号：CN114078843A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110907987.5

申请日：2021-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋成镐 ,  李钟汉 ,  朴钟河 ,  李载晛 ,  白种勋 ,  郑大木

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括沿第一方向的第一区域和第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三区域；有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第一栅电极至第三栅电极，在有源图案上彼此间隔开并且沿第二方向延伸，第一区域的有源图案包括彼此间隔开并且穿透第一栅电极的第一半导体图案，第二区域的有源图案包括彼此间隔开并且穿透第二栅电极的第二半导体图案，第三区域的有源图案包括过渡图案，过渡图案从衬底突出并且与第三栅电极相交，并且过渡图案包括牺牲图案和第三半导体图案，牺牲图案和第三半导体图案交替堆叠在第三区域上并且包括彼此不同的材料。

公开(公告)号：CN112018169A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010111620.8

申请日：2020-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载晛 ,  李钟汉 ,  朴成华 ,  朴钟河 ,  禹宰勋 ,  郑多福

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种集成电路半导体装置，包括：第一区域，其包括第一晶体管；以及第二区域，其在第二方向上与第一区域接触。第一晶体管包括在第一方向上延伸的第一有源鳍、在第二方向上从第一有源鳍延伸到第一隔离层上的第一栅极电介质层、以及在第一栅极电介质层上的第一栅电极。第二区域包括第二晶体管，第二晶体管包括在第一方向上延伸的第二有源鳍、在第二方向上从第二有源鳍延伸到第二隔离层上的第二栅极电介质层、以及在第二栅极电介质层上的第二栅电极。该集成电路半导体装置包括栅极电介质层去除区域，该栅极电介质层去除区域临近第一区域和第二区域之间的边界。