公开(公告)号：CN104051463B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410097490.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在浚 ,  郑在现

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：第一导电类型的半导体基板；网孔型栅电极，在基板之上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在交叉第一方向的第二方向上延伸的第二部分。网孔型栅电极可以具有多个开口；以及第二导电类型的源极区和漏极区，在相应于开口的位置处的基板中在第一方向和第二方向上交替地布置。

公开(公告)号：CN104051463A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410097490.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在浚 ,  郑在现

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：第一导电类型的半导体基板；网孔型栅电极，在基板之上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在交叉第一方向的第二方向上延伸的第二部分。网孔型栅电极可以具有多个开口；以及第二导电类型的源极区和漏极区，在相应于开口的位置处的基板中在第一方向和第二方向上交替地布置。

公开(公告)号：CN107070443A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611152791.5

申请日：2016-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在浚

IPC: H03K17/96

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H03K17/962 ,  H03K2217/96015

Abstract: 本发明提供一种电容式传感器，电容式传感器包括：基板；半导体芯片，位于基板上；至少一条接合线，将半导体芯片的顶面电连接至基板的顶面；以及多个传感器电极，位于半导体芯片的顶面上。具体来说，相对于半导体芯片的顶面而言，传感器电极的高度可被设置成大于至少一条接合线的高度。电容式传感器可具有减小的寄生静电电容。